价格:未填
品牌:富士
发货:3天内
信息标签:富士IGBT模块1MBI2400U4D-120现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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富士IGBT模块1MBI1600U4C-170，富士电动机可变速驱动装置和电子计算机的备用电源装置等电力变换器，随着双极型功率晶体管模块和功率MOSFET的出现，已经起了很大的变化。这些使用交换元件的各种电力变换器也随着近年来节能、设备小型化轻量化等要求的提高而急速地发展起来。但是，电力变换器方面的需求，并没有通过双极型功率晶体管模块和功率MOSFET得到完全的满足。双极型功率晶体管模块虽然可以得到高耐压、大容量的元件，但是却有交换速度不够快的缺陷。而功率MOSFET虽然交换速度足够快了，但是存在着不能得到高耐压、大容量元件等的缺陷。IGBT（JEDEC登录名称，绝缘栅双极晶体管）正是作为顺应这种要求而开发的，它作为一种既有功率MOSFET的高速交换功能又有双极型晶体管的高电压、大电流处理能力的新型元件，今后将有更大的发展潜力。

富士IGBT模块1MBI1600U4C-170现货参数资料
产品： IGBT Silicon Modules
品牌和型号 英飞凌FF450R12ME3
配置： Dual
集电极—发射极**电压 VCEO： 1200 V
集电极—射极饱和电压： 1.7 V
在25 C的连续集电极电流： 600 A
栅极—射极漏泄电流： 400 nA
功率耗散： 2100 W
**工作温度： + 125 C
封装 / 箱体： EconoDUAL-3
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极**电压： +/- 20 V
**小工作温度： - 40 C
安装风格： Screw
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工厂包装数量： 12