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富士IGBT模块1MBI1200U4C-120现货参数资料
发布时间:2016-07-19 20:48:07 产品编号:GY-5-91191028  分享
价格:未填
品牌:富士
发货:3天内
信息标签:富士IGBT模块1MBI1200U4C-120现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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富士IGBT模块1MBI1600U4C-170是针对中高端服务器应用和电信开关电源,电脑Silverbox和照明应用,更进一步太阳能逆变器和UPS系统。随着新一代5这些应用程序在提高效率,而且还可以降低电磁干扰,不仅造福,提高了系统的可靠性和成本/尺寸节省由于减少了散热需求。一个重要的成就与第5代是工业实现细化处理,允许降低晶圆厚度几乎1/3 ,同时保持公认的质量和产量水平。DD435N28K整流二极管是利用PN结的单向导电特性,把交流电变成脉动直流电。整流二极管流电流较大,多数采用面接触塑料封装。

富士IGBT模块1MBI1600U4C-170现货参数资料
产品种类: IGBT 模块
配置: Dual
集电极—发射极**电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 1.7 V
在25 C的连续集电极电流: 200 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
功率耗散: 1.05 kW
**工作温度: + 125 C
封装 / 箱体: IS5a ( 62 mm )-7
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 500
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1MBI300S-120 1MBI300S-120 (475KB) 300 1200
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1MBI1600U4C-170 1MBI1600U4C-170 (501KB) 1600 1700

产品参数


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