价格:未填
品牌:富士
发货:3天内
信息标签:富士IGBT模块1MBI1600U4C-170现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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富士IGBT模块1MBI1600U4C-170是针对中高端服务器应用和电信开关电源，电脑Silverbox和照明应用，更进一步太阳能逆变器和UPS系统。随着新一代5这些应用程序在提高效率，而且还可以降低电磁干扰，不仅造福，提高了系统的可靠性和成本/尺寸节省由于减少了散热需求。一个重要的成就与第5代是工业实现细化处理，允许降低晶圆厚度几乎1/3 ，同时保持公认的质量和产量水平。DD435N28K整流二极管是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。整流二极管流电流较大,多数采用面接触塑料封装。

富士IGBT模块1MBI1600U4C-170现货参数资料

中文参数	条件温度	符号	数值	单位
集电极－发射极电压	Tvj = 25°C	VCES	1200	V
连续集电极直流电流	TC = 50°C, Tvj max = 175°C	ICnom	35	A
集电极重复峰值电流	tP = 1 ms	ICRM	70	A
总功率损耗	TC = 25°C, Tvj max = 175	Ptot	210	W
栅极－发射极峰值电压		VGES	+/-20	V
集电极－发射极饱和电压	IC = 450 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C	VCE sat	2．25 (max)	V

 IGBT模块是集外围电路内置于一块功率模块的器件，IGBT以其高可靠性，使用方便赢得越来越大的市场，尤其适合于驱动电机的变频器和各种逆变电源，广泛应用于交流电机变频调速和直流电机斩波调速，冶金机械，电力牵引，伺服驱动，变频家电以及各种高性能电源（如UPS、感应加热、电焊机、有源补偿、DC-DC等）、工业电气自动化等领域，有着广阔的市场，一种非常理想的电力电子器件。 1） 开关速度快。IPM 内的 IGBT芯片都选用高速型，而且驱动电路紧靠 IGBT芯片，驱动延时小，所以 IPM 开关速度快，损耗小。 2） 低功耗。IPM 内部的 IGBT 导通压降低，开关速度快，故 IPM 功耗小。 3） **的过流保护。IPM 实时检测 IGBT 电流，当发生严重过载或直接短路时，IGBT将被软关断，同时送出一个故障信号。 4） 过热保护。在靠近 IGBT 的绝缘基板上安装了一个温度传感器，当基板过热时，IPM内部控制电路将截止栅级驱动，不响应输入控制信号。