品牌:富士
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信息标签:富士IGBT模块1MBI1200U4C-120现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件
IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子),对N 一层进行电导调制,减小N 一层的电阻,使IGBT 在高电压时,也具有低的通态电压。
富士IGBT模块1MBI1200U4C-120原装现货参数资料
制造商:Delphi Connection Systems/Specialty Electronics
RoHS:ROHS 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装:散装
说明:CONN HEADER 1MM 9-POS
类别:连接器,互连器件
家庭:矩形连接器 - 针座,公插针
系列:-
包装:散装
触头类型:-
连接器类型:-
针脚数:9
加载的针脚数:-
间距:0.039"(1.00mm)
排数:-
排距:-
触头配接长度:-
安装类型:-
端接:-
紧固类型:-
特性:-
触头镀层:-
触头镀层厚度:-
颜色:-
其它名称:Q1289227