富士IGBT模块1MBI400V-120-50现货参数资料_供应

富士IGBT模块1MBI400V-120-50现货参数资料

发布时间:2016-07-19 20:26:21 产品编号:GY-5-91189339 分享

价格:未填
品牌:富士
发货:3天内
信息标签:富士IGBT模块1MBI400V-120-50现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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富士IGBT模块1MBI400V-120-50在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极**额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。
在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时（栅极处于开路状态），若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。

富士IGBT模块1MBI400V-120-50原装现货参数资料

中文参数	条件温度	符号	数值	单位
集电极－发射极电压	Tvj = 25°C	VCES	600	V
连续集电极直流电流	TC = 50°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C	ICnom IC	200 230	A A
集电极重复峰值电流	tP = 1 ms	ICRM	400	A
总功率损耗	TC = 25°C, Tvj max = 175	Ptot	730	W
栅极－发射极峰值电压		VGES	+/-20	V
集电极－发射极饱和电压	IC = 450 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C	VCE sat	2．45 (max)	V

产品参数图
富士现货型号：
7MBP25VDA120-50;1MBI1200U4C-120;1MBI1200U4C-170;1MBI1200VC-120
1MBI1200VC-170E;1MBI1600U4C-120;1MBI1600U4C-170;1MBI1600VC-120
1MBI1600VC-170E;1MBI200HH-120L-50;1MBI200N-120;1MBI200U4H-120L-50
1MBI2400U4D-120;1MBI2400U4D-170;1MBI2400VC-120;1MBI2400VC-170E
1MBI2400VD-120;1MBI2400VD-170E;1MBI300HH-120L-50;1MBI300N-120
1MBI300S-120;1MBI300U2H-060L-50;1MBI300U4-120;1MBI3600U4D-120
1MBI3600U4D-170;1MBI3600VD-120;1MBI3600VD-170E;1MBI400HH-120L-50
1MBI400N-120;1MBI400S-120;1MBI400U4-120;1MBI400V-120-50
1MBI50U4F-120L-50;1MBI600NN-060;1MBI600NP-060;1MBI600PX-120
1MBI600PX-140;1MBI600U4-120;1MBI600U4B-120;1MBI600V-120-50
1MBI75U4F-120L-50;1MBI800U4B-120;1MBI900V-120-50;2MBI1000VXB-170E-50
2MBI100HB-120-50;2MBI100N-060;2MBI100N-120;2MBI100PC-140
2MBI100SC-120;2MBI100U4A-120;2MBI100U4H-170;2MBI100VA-060-50
2MBI100VA-120-50;2MBI1200U4G-120;2MBI1200U4G-170;2MBI1200VG-120
2MBI1200VG-170E;2MBI1400VXB-120P-50;2MBI1400VXB-170E-50
2MBI1400VXB-170P-50;2MBI150HH-120-50;2MBI150N-060;2MBI150N-120
2MBI150PC-140;2MBI150SC-120;2MBI150U2A-060;2MBI150U4A-120

IGBT模块是集外围电路内置于一块功率模块的器件，IGBT以其高可靠性，使用方便赢得越来越大的市场，尤其适合于驱动电机的变频器和各种逆变电源，广泛应用于交流电机变频调速和直流电机斩波调速，冶金机械，电力牵引，伺服驱动，变频家电以及各种高性能电源（如UPS、感应加热、电焊机、有源补偿、DC-DC等）、工业电气自动化等领域，有着广阔的市场，一种非常理想的电力电子器件。 1）开关速度快。IPM 内的 IGBT芯片都选用高速型，而且驱动电路紧靠 IGBT芯片，驱动延时小，所以 IPM 开关速度快，损耗小。 2）低功耗。IPM 内部的 IGBT 导通压降低，开关速度快，故 IPM 功耗小。 3） **的过流保护。IPM 实时检测 IGBT 电流，当发生严重过载或直接短路时，IGBT将被软关断，同时送出一个故障信号。 4）过热保护。在靠近 IGBT 的绝缘基板上安装了一个温度传感器，当基板过热时，IPM内部控制电路将截止栅级驱动，不响应输入控制信号。

联系方式

公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线发送信件
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