电子元器件及组件
富士IGBT模块1MBI600PX-140原装现货技术选型
发布时间:2016-07-19 20:17:22 产品编号:GY-5-91188704  分享
价格:未填
品牌:富士
发货:3天内
信息标签:富士IGBT模块1MBI600PX-140原装现货技术选型,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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富士IGBT模块1MBI600PX-140在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极**额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
    此外,在栅极—发射极间开路时,若在集电极与发射极间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于集电极有漏电流流过,栅极电位升高,集电极则有电流流过。这时,如果集电极与发射极间存在高电压,则有可能使IGBT发热及至损坏。
    在使用IGBT的场合,当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态),若在主回路上加上电压,则IGBT就会损坏,为防止此类故障,应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。

富士IGBT模块1MBI600PX-140原装现货技术参数
1MBI600PX-140参数图

中文参数

条件温度

符号

数值

单位

集电极-发射极电压

Tvj = 25°C

VCES

600

V

连续集电极直流电流

TC = 50°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C

ICnom
IC

450
550

A
A
 

集电极重复峰值电流

tP = 1 ms

ICRM

900

A

总功率损耗

TC = 25°C, Tvj max = 175

Ptot

1250

W

栅极-发射极峰值电压

 

VGES

+/-20

V

集电极-发射极饱和电压

IC = 450 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C

VCE sat

1.90(max)

V


富士IGBT模块1MBI600PX-140原装现货选型
1MBI75L-060、1MBI100L-060、1MBI150L-060、
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IGBT模块是集外围电路内置于一块功率模块的器件,IGBT以其高可靠性,使用方便赢得越来越大的市场,尤其适合于驱动电机的变频器和各种逆变电源,广泛应用于交流电机变频调速和直流电机斩波调速,冶金机械,电力牵引,伺服驱动,变频家电以及各种高性能电源(如UPS、感应加热、电焊机、有源补偿、DC-DC等)、工业电气自动化等领域,有着广阔的市场,一种非常理想的电力电子器件。 1) 开关速度快。IPM 内的 IGBT芯片都选用高速型,而且驱动电路紧靠 IGBT芯片,驱动延时小,所以 IPM 开关速度快,损耗小。 2) 低功耗。IPM 内部的 IGBT 导通压降低,开关速度快,故 IPM 功耗小。 3) **的过流保护。IPM 实时检测 IGBT 电流,当发生严重过载或直接短路时,IGBT将被软关断,同时送出一个故障信号。 4) 过热保护。在靠近 IGBT 的绝缘基板上安装了一个温度传感器,当基板过热时,IPM内部控制电路将截止栅级驱动,不响应输入控制信号。
 
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