价格:未填
品牌:仙童
发货:3天内
信息标签:仙童IGBT单管FGA90N33ATD原装现货技术选型,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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仙童IGBT单管FGA90N33ATD采用第三代槽栅/场终止技术的EconoDUAL?3封装模块，内部带有控制二极管和温度检测NTC，主要针对大功率变流器、电机传动、伺服驱动器、UPS系统、风力发电机等多个应用领域。FF450R06ME3模块在其有限的底板尺寸实现了**高的功率密度（高达 450A/600V）。该模块具有出色的开关特性，而铜线键合则可减少内部引线电阻。由于采用了铜键合技术以及改善的 DCB，相对于其它同参数的模块，其输出功率**可增加 30%。 

仙童IGBT单管FGA90N33ATD原装现货技术选型

FDM2452NZ	MicroFET	N	30	14	8.1	2.2
FDMA430NZ	MicroFET	N	30	7.3	5	0.9
FDMA1032CZ	MicroFET	N|P	20	4|7	3.7	1.4
FDMA1029PZ	MicroFET	P	-20	7	3.1	1.4
FDMA1027P	MicroFET	P	-20	4	2.2	1.4
FDM606P	MicroFET	P	-20	20	6.8	1.92
FDMB506P	MicroFET	P	-20	3.5	6.8	1.9
FDG6335N	SC70-6	N	20	1.1	0.7	0.3
FDG6317NZ	SC70-6	N	20	0.76	0.7	0.3
FDG327N	SC70-6	N	20	4.5	1.5	0.42
FDG327NZ	SC70-6	N	20	4.2	1.5	0.42
FDG329N	SC70-6	N	20	3.3	1.5	0.42
FDG311N	SC70-6	N	20	3	1.9	0.75
FDG6303N	SC70-6	N	25	1.64	0.5	0.3
FDG6313N	SC70-6	N	25	1.64	0.5	0.3

  由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。　因此使用中要注意以下几点：
1. 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸;
2. 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块;
3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。
在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极**额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。
在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。