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信息标签:仙童IGBT单管FGD4536现货参数资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
IGBT的等效电路,若在IGBT的栅极G和发射极E之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极C与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOS 截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件,在它的栅极G—发射极E间施加十几V的直流电压,只有在uA级的漏电流流过,基本上不消耗功率。
仙童IGBT单管FGD4536现货参数资料
基本参数:
用途:NF/音频(低频)
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
材料:IGBT绝缘栅比极
开启电压:1200(V)
夹断电压:1200(V)
低频跨导:1(μS)
极间电容:1(pF)
低频噪声系数:1(dB)
**漏极电流:11(mA)
**耗散功率:11(mW)
功率耗散: 298 W
封装: Tube
配置: Single
封装 / 箱体: TO-247
特征
高电流能力
低饱和:-发射极饱和压降低= 1.59 V @ IC = 50
高输入阻抗
**切换的
RoHS柔顺
常用场效应管(25N120等)参数及 FGA25N120AND (IGBT) 1200V/25A//TO3P (电磁炉用) FQA27N25 (MOSFET) 250V/27A/TO3P IRFP254 FQA40N25 (MOSFET) 250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264 FQA55N25 (MOSFET) 250V/55A/310W/0.03Ω/TO3P FQA18N50V2 (MOSFET) 500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460A FQA24N50 (MOSFET) 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P FQA28N50 (MOSFET) 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50E FQL40N50 (MOSFET) 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50 FQA24N60 (MOSFET) 600V/24A/TO3P FQA10N80 (MOSFET) 800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3P FQA13N80 (MOSFET) 800V/13A/300W/0. Ω/TO3P FQA5N90 (MOSFET) 900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3P FQA9N90C (MOSFET) 900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3P FQA11N90C (MOSFET) 900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3P FFA30U20DN (快恢复二极管) 200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02A FFPF30U60S (快恢复二极管) 600V/30A/90ns/TO220F MUR1560 FFA30U60DN (快恢复二极管) 600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06A MBRP3010NTU (肖特基) 100V/30A/TO-220 MBRA3045NTU (肖特基) 45V/30A/TO-3P ISL9R3060G2 (快恢复二极管) 600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60B RHRG3060 (快恢复二极管) 600V/30A/35nS/TO247 FQP44N10 (MOSFET) 100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IRF3710/IRF540N FQP70N10 (MOSFET) 100V/57A/160W/0.025Ω/TO220 IRFP450B (MOSFET) 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3P IRFP460C (MOSFET) 500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460 KA3162/FAN8800 (Drive IC) 单IGBT/MOSFETFET驱动