仙童IGBT单管FGPF4536使用新的海沟IGBT技术、飞兆半导体的新系列的战壕IGBTs提供**的性能为PD的应用场合低传导和开关损耗是至关重要的。    IGBT的等效电路，若在IGBT的栅极G和发射极E之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极C与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极G—发射极E间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。

特征
高电流能力
低饱和:-发射极饱和压降低= =菲薄工资而1.59V @ IC卡
高输入阻抗
**切换的
RoHS柔顺

应用程序
PDP系统  

仙童IGBT单管SGP10N60RUFD现货技术选型
 FQP50N06 FQP65N06 FQP85N06 FQP90N08 80V/71A/0.012Ω FQP33N10 100V/33A/0.04Ω FQP70N10 100V/57A/ 0.019Ω FQP46N15 150V/46A/0.12 FQP34N20 200V/34A/0.065 FQP13N50 500V/13A/0.33 Fqa62n25 250v/62a/0.029 FQP18N20V2 200V/18A/0.14ΩFQP13N50 500V/13A/ 0.33Ω FQPF12N60 600V/12A/ 0.55Ω FQP4N90 900V/4.2A/2.7Ω FQP7N80 800V/6.6A/1.2Ω FQA160N08 80V/160A/0.0056Ω FQA70N10 100V/70A/0.019Ω FQA140N10 100V/140A/0.008Ω FQA90N15 150V/90A/0.014Ω FQA34N20 200V/34A/0.06Ω FQA48N20 200V/48A/0.037Ω FQA65N20 200V/65A/0.025Ω