电子元器件及组件
仙童IGBT单管SGP10N60RUFD现货技术选型
发布时间:2016-07-19 10:40:37 产品编号:GY-5-91106301  分享
价格:未填
品牌:仙童
发货:3天内
信息标签:仙童IGBT单管SGP10N60RUFD现货技术选型,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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仙童IGBT单管SGP10N60RUFD第二代高速开分立IGBT系列中的代表产品,30~100KHZ的开关频率能胜任大部分的应用环境,特别是在电视应用领域有不俗的表现。它相对于上一代器件,总关断损耗降低35%。关断损耗的大幅降低主要源自于极短的拖尾电流时间。拖尾电流时间缩短75%,并表现出类似MOSFET的关断开关行为。 IGA03N120H2没有内置保护二极管,使用的时候需要注意。 

仙童IGBT单管SGP10N60RUFD现货技术选型
 FQP50N06 FQP65N06 FQP85N06 FQP90N08 80V/71A/0.012Ω FQP33N10 100V/33A/0.04Ω FQP70N10 100V/57A/ 0.019Ω FQP46N15 150V/46A/0.12 FQP34N20 200V/34A/0.065 FQP13N50 500V/13A/0.33 Fqa62n25 250v/62a/0.029 FQP18N20V2 200V/18A/0.14ΩFQP13N50 500V/13A/ 0.33Ω FQPF12N60 600V/12A/ 0.55Ω FQP4N90 900V/4.2A/2.7Ω FQP7N80 800V/6.6A/1.2Ω FQA160N08 80V/160A/0.0056Ω FQA70N10 100V/70A/0.019Ω FQA140N10 100V/140A/0.008Ω FQA90N15 150V/90A/0.014Ω FQA34N20 200V/34A/0.06Ω FQA48N20 200V/48A/0.037Ω FQA65N20 200V/65A/0.025Ω

特征
高电流能力
低饱和:-发射极饱和压降低= =菲薄工资而1.59V @ IC卡
高输入阻抗
**切换的
RoHS柔顺

注意事项:    
由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:
在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸; 
在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块; 
尽量在底板良好接地的情况下操作。

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