仙童IGBT单管SGS10N60RUFD作为第三代的1200V IGBT此列产品，集合了前几代系列产品的优点。降低饱和电压，远低于标准竞争的IGBT所提供的价值。并由于系列的优化，改善了E3 IGBT晶片的功率密度，散热相同的条件下提高了功率密度。高效率地损失为电机控制和驱动的应用提供**高的效率。且它低开关损耗和低传到损耗，更是为应用提高了方便。优化后的 一系列主要应用于电机控制和驱动，风能系统、太阳能、汽车等行业。

仙童IGBT单管SGS10N60RUFD现货参数资料

停止使用新的领域’IGBT技术、费雅嘉s新系列的领域提供**性能停止IGBTs太阳能逆变器、UPS、电子和全氟化碳的应用场合,IH低传导和开关损耗是至关重要的。

特征

**的结温:研究= 175oC
按照积极为容易表明平行操作
高电流能力
低饱和:-发射极饱和压降低= 1.9V打字。)(= 60A @ IC卡
高输入阻抗
**切换的
紧固参数的分布
RoHS柔顺

IGBT的选择 
IGBT的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。