仙童IGBT单管HGTP3N60A4新一代采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和发射极控制二极管带有温度检测NTCP的PrimePACK™3模块，相较于之前英飞凌出的一系列的产品，它的直流电压得到充分的稳定，提高了工作结温Tvjop。FF1400R17IP4的高电流密度、偏低的开关损耗、以及低VCEsat、Tvjop=150°C，更是由于它的高功率循环和温度循环能力以及高功率密度，为它在大功率变频器等的应用中得到充分的利用，减少电器的损坏。

仙童IGBT单管HGTP3N60A4现货技术选型

型号  厂商  封装  批号  数量  简要描述
FQP50N06 FQP65N06 FQP85N06 FQP90N08 80V/71A/0.012Ω/TO220 FQP33N10 100V/33A/0.04Ω/TO220 FQP70N10 100V/57A/ 0.019Ω/TO220 FQP18N20V2 200V/18A/0.14Ω/TO220 FQP13N50 500V/13A/ 0.33Ω/TO220 FQP12N60 600V/12A/ 0.55Ω/TO220 FQP3N90 900V/3.6A/3.3Ω/TO220 FQP4N90 900V/4.2A/2.7Ω/TO220 FQP5N90 900V/5.4A/1.8Ω/TO220 FQP7N80 800V/6.6A/1.2Ω/TO220 FQA160N08 80V/160A/0.0056Ω/TO3P FQA44N10 100V/48A/0.03Ω/TO3P FQA70N10 100V/70A/0.019Ω/TO3P FQA140N10 100V/140A/0.008Ω/TO3P FQA90N15 150V/90A/0.014Ω/TO3P FQA34N20 200V/34A/0.06Ω/TO3P FQA48N20 200V/48A/0.037Ω/TO3P FQA65N20 200V/65A/0.025Ω/TO3P FQA40N25 250V/40A/0.051Ω/TO3P FQA55N25 250V/55A/0.03Ω/TO3P FQA17N40 400V/17A/0.21Ω/TO3P FQA35N40 400V/35A/0.08Ω/TO3P FQA16N50 500V/16A/0.25Ω/TO3P FQA18N50V2 500V/20A/0.265Ω/TO3P FQA13N80 800V/13A/0.58ΩTO3P FQA7N90 900V/7.4A/1.2Ω/TO3P FQA9N90C 900V/9A/1.12ΩTO3P

FGA15N120ANTDTU_F109  FAIRCHILD DIP09 +  10 +  25  100IGBT

FGH60N60SMD   FAIRCHILD  TO-247 10+  89  560IGBT

FGH30N120FTD FAIRCHILD  TO-247  10+  85  200 600V的，开关电源II系列N沟道

IGBTFGPF4536  FAIRCHILDDIP10+ 85200IGBT分立元件

FGA20S120M  FAIRCHILDTO-3P10+11+63000IGBT分立元件

FGA50N100BNTD2  FAIRCHILDTO-3PN10+11+586301000V的50A条NPT沟道IGBT统筹巴基斯坦

SGS5N150UF  FAIRCHILDSGS5N150UF10+25410IGBT

HGTG11N120CN  FAIRCHILDTO-24710+11+52000第43A条，1200伏，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT的（第43A条，1200伏不扩散核武器条约系列?沟道绝缘栅双极型晶体管）FGPF4633  FAIRCHILDTO-220F10+11+25400IGBT