价格:未填
品牌:仙童
发货:3天内
信息标签:仙童IGBT单管HGTD1N120BNS技术选型,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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仙童IGBT单管HGTD1N120BNS是针对E3系列的进一步的开发优化，适用于变频器中达到了更高的效率。其发射极饱和电压(VCEsat)比E3系列减小了大约100mA，T3系列IGBT的关断损耗（FS75R12KT3 Eoff= 8.1m J）在额定工作条件下比E3系列(FS75R12KE3 Eo ff= 9.5m J)减小了大约17%。且拥有更高的开关频率，减少了在较高的电流密度组合的损失。主要适用于变频器、焊机逆变器等。

仙童IGBT单管HGTD1N120BNS技术选型

使用新的领域’IGBT技术、费雅嘉s新系列的领域提供**性能停止IGBTs太阳能逆变器、UPS、电子和全氟化碳的应用场合,IH低传导和开关损耗是至关重要的。

特征

**的结温:研究= 175oC
按照积极为容易表明平行操作
高电流能力
低饱和:-发射极饱和压降低= 1.9V打字。)(= 60A @ IC卡
高输入阻抗
**切换的
紧固参数的分布
RoHS柔顺

应用程序
太阳能逆变器、UPS、电子、描述
感应加热
FGH40N60SMDF　FGY75N60SMD　FGH40N60SMD　FGPF4533　FGB20N60SF　FGD4536　FGB20N60SFD　FGA15N120ANTDTU_F109　FGA25N120ANTDTU_F109　SGP23N60UF　FGL60N100BNTD　FGA20S120M　HGTG20N60A4D　FGH40N65UFD　FGH40N60UFD　SGF23N60UF　HGTG30N60A4D　FGPF50N33BT　FGH40N60SFD　SGH15N60RUFD　FGA70N33BTD　HGTG40N60A4　

保管时的注意事项

一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75％左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿;

尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合；

在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方；

保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物；

装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。