电子元器件及组件
仙童IGBT单管FGH20N60SFD技术选型
发布时间:2016-07-19 09:59:24 产品编号:GY-5-91095915  分享
价格:未填
品牌:仙童
发货:3天内
信息标签:仙童IGBT单管FGH20N60SFD技术选型,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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仙童IGBT单管FGH20N60SFD是通过对第三代1200V IGBT系列产品-E3的性能的提升的出来的产品。它相对的减小了集射极饱和电压(VCEsat) 和关断损耗(Eo ff) 。优化后的T3器件工作在更高的工作频率。功率损耗减小和电流密度提高扩大了IGBT3模块系列产品的应用范围。 这使我们能够提供可靠和高效的解决方案为您的工业应用例如通用逆变器、太阳能和风能变频器、UPS、焊接、感应加热和smp系统。我们也**使用igbt在消费应用程序(如电饭煲、微波炉和感应烹饪烤箱或者空调系统。离散汽车igbt模块,也可用于应用程序(如压电注入,HID照明、水泵和小驱动器。

仙童IGBT单管FGH20N60SFD技术选型
进口原装美国仙童FGH20N60SFD的中文参数信息和PDF技术资料下载。FGH20N60SFD的PDF资料下载 仙童IGBT单管的厂家 价格 仙童厂家 代理商 经销商 贸易商 FGH20N60SFD的参数 简介 电流 电压 开关频率 封装 产地 批号 价格 包装 运用邻域等信息

特征

•高电流能力

•低饱和电压VCE(SAT):= 2.2 V @ IC = 20A

•高输入阻抗

•**切换

•符合RoHS

应用

•太阳能逆变器,UPS,电焊机,PFC

一般描述

使用新的场截止IGBT技术,飞兆半导体的场停止

IGBT为太阳能逆变器提供**性能,UPS,

焊机和PFC应用在低传导和开关

损失是必不可少的。

注意事项:    
由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:
在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸; 
在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块; 
尽量在底板良好接地的情况下操作。
在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极**额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
    此外,在栅极—发射极间开路时,若在集电极与发射极间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于集电极有漏电流流过,栅极电位升高,集电极则有电流流过。这时,如果集电极与发射极间存在高电压,则有可能使IGBT发热及至损坏。
    在使用IGBT的场合,当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态),若在主回路上加上电压,则IGBT就会损坏,为防止此类故障,应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。

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