结构优势

应用的1700V 标准模块相比，主要损耗减少了大约 20%。除了极低的静态和动态损耗外，1700V-SPT IGBT 表现为明显的正温度系数。这一特点适用于并联工作状态，尤其适合如 E1/E2 类型这样的大电流模块。尽管 SPT IGBT 的损耗较低，但它的短路电流和开关强度均较大，而且，独特的软穿通结构的电磁干扰很小。SPT 技术发展的同时，新的软**恢复二极管也被开发用于辅助 SPT 的特性。新的二极管在任意条件工作时，表现出软恢复和极耐用的的特性。因为并联使用，二极管也要求正的温度系数。1700V 的芯片组技术，文献[1,2]中证明，标准的平面工艺与软穿通概念的结合可得到性能更好的 IGBT，它比 NPT 结构的损耗更低，约小 20%。SPT 技术的通态损耗与使用沟道工艺的相同额定电流元件的通态损耗相似。因为工艺技术很成熟，为使单位面积上的成本更低，选用了平面设计。