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品牌:仙童
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信息标签:仙童IGBT单管FGAF40N60UF深圳库存现货,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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仙童IGBT单管FGAF40N60UF等高功率开关的发行使太阳能、风能等新能源行业将得到蓬勃发展，这些行业要求系统的设计，经济、高效、可靠。作为全球功率半导体的**企业，英飞凌的功率器件，多年来因其稳定、突出的能效而备受电力电子行业推崇，将迎合上述系统要求而大显身手。从风电来看，提高单机功率是个趋势，尤其离岸和潮汐带的风力资源决定需要大功率风机，以提高资源利用率。这就需要更大电流，更高电压的功率半导体器件，主要是高压大电流的IGBT模块和功率组件Stack。

IGBT在焊机中的作用
  软开关逆变焊机正成为逆变焊机未来的主流方向，在20KHz的软开关模式下IGBT的通态损耗大于开关损耗，因此寻找一款满足软开关逆变焊机低饱和压降要求的高速IGBT芯片显得非常迫切，英飞凌公司的第四代IGBT—T4很好地满足了这一要求，仿真和实验结果表明散热器温度明显降低，结温安全裕量大大增加，英飞凌FF450R12KE4可靠性显著提高，目前采用这款IGBT芯片的模块正被越来越多的软开关逆变焊机客户所使用。

FGAF40N60UF结构优势
FGAF40N60UF与已经应用的1700V 标准模块相比，主要损耗减少了大约 20%。除了极低的静态和动态损耗外，1700V-SPT IGBT 表现为明显的正温度系数。这一特点适用于并联工作状态，尤其适合如 E1/E2 类型这样的大电流模块。尽管 SPT IGBT 的损耗较低，但它的短路电流和开关强度均较大，而且，独特的软穿通结构的电磁干扰很小。SPT 技术发展的同时，新的软**恢复二极管也被开发用于辅助 SPT 的特性。新的二极管在任意条件工作时，表现出软恢复和极耐用的的特性。因为并联使用，二极管也要求正的温度系数。1700V 的芯片组技术，文献[1,2]中证明，标准的平面工艺与软穿通概念的结合可得到性能更好的 IGBT，它比 NPT 结构的损耗更低，约小 20%。SPT 技术的通态损耗与使用沟道工艺的相同额定电流元件的通态损耗相似。因为工艺技术很成熟，为使单位面积上的成本更低，选用了平面设计。