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仙童IGBT单管HGTG30N60A4深圳代理现货

发布时间:2016-07-18 18:05:39 产品编号:GY-5-91020142 分享

价格:未填
品牌:仙童
发货:3天内
信息标签:仙童IGBT单管HGTG30N60A4深圳代理现货,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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仙童IGBT单管HGTG30N60A4是由欧佩克生产的新型IGBT之一，比上一代IGBT提供更好的DC和AC特性、更长的短路耐受时间以及更低的漏电流。经过所有这些改进，能实现高效和可靠的逆变器系统。电力电子中的许多应用，尤其是电机驱动器、不间断电源(UPS)、可再生能源、电焊机、感应加热炉具和其他需要高电流和高电压能力的逆变器应用。短路耐受能力也是IGBT用于逆变器应用的一项重要功能。

仙童IGBT单管HGTG30N60A4深圳代理现货
种类结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式增强型用途 MOS-FBM/全桥组件
封装外形 WAFER/裸芯片材料 MES金属半导体
开启电压 10（V）夹断电压 10（V）
低频跨导 2（μS）极间电容 2（pF）
低频噪声系数 2（dB） **漏极电流 2（mA）
**耗散功率 2（mW）

Fairchild fga40n65 IGBT单管特性:
•**结温度Tj = 175℃
•正温度系数
•高电流能力
•低饱和电压VCE（sat）= 1.9 V（典型值）@ IC = 40A
•**切换：EOFF= 6.5 uJ /A
•符合RoHS

产品特点：

•功能强大的单片体二极管具有极低的正向电压。

•体二极管钳位电压负。

•沟槽场终止技术， 1600 V应用提供：- 参数分布非常紧凑- 高耐用性，温度稳定的行为。

•NPT技术提供因易并行交换能力在V正温度系数CE （ SAT ）。

•低EMI。

•根据JEDEC合格1为目标的应用。

•无铅镀铅;符合RoHS标准。

•完整的产品范围和PSpice的模型。

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