品牌:仙童
发货:3天内
信息标签:仙童IGBT单管FGH20N60UFD深圳正品现货,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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仙童IGBT单管FGH20N60UFD深圳**现货
发布时间:2016-07-18 17:20:10 产品编号:GY-5-91013886 分享
价格:未填
品牌:仙童
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仙童IGBT单管FGH20N60UFD是由欧佩克生产的新型IGBT之一，比上一代IGBT提供更好的DC和AC特性、更长的短路耐受时间以及更低的漏电流。IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知，若在IGBT的栅极G和发射极E之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极C与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极G—发射极E间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。
仙童IGBT单管FGH20N60UFD深圳**现货
品牌：FAIRCHILD/仙童
种类：绝缘栅(MOSFET)
沟道类型：N沟道
导电方式：耗尽型
用途：A/宽频带放大
封装外形：CER-DIP/陶瓷直插
材料：GE-N-FET锗N沟道
**漏极电流：10
跨导：10
开启电压：1200
夹断电压：1250
低频噪声系数：5
极间电容：10
**耗散功率：10
Fairchild IGBT单管特性:
•**结温度Tj = 175℃
•正温度系数
•高电流能力
•低饱和电压VCE（sat）= 1.9 V（典型值）@ IC = 40A
•**切换：EOFF= 6.5 uJ /A
•符合RoHS
应用
•太阳能逆变器
•焊机
•感应加热
•UPS
品牌：FAIRCHILD/仙童
种类：绝缘栅(MOSFET)
沟道类型：N沟道
导电方式：耗尽型
用途：A/宽频带放大
封装外形：CER-DIP/陶瓷直插
材料：GE-N-FET锗N沟道
**漏极电流：10
跨导：10
开启电压：1200
夹断电压：1250
低频噪声系数：5
极间电容：10
**耗散功率：10
Fairchild IGBT单管特性:
•**结温度Tj = 175℃
•正温度系数
•高电流能力
•低饱和电压VCE（sat）= 1.9 V（典型值）@ IC = 40A
•**切换：EOFF= 6.5 uJ /A
•符合RoHS
应用
•太阳能逆变器
•焊机
•感应加热
•UPS
关键设计目标当然是在装配空间有限时提供紧凑而可靠的变频设计解决方案。考虑诸如小型落地扇和吊扇电机、空调室内和室外风扇、水泵等系统。
FIg1 Package Outline structure[图1]封装外观和结构
我们将了解四种用来测算结温的方法，并展示测算结果：
直接测量（由红外摄像机检测的TJ）
TC_TOP 测算（用红外摄像机测量壳温 TC_TOP）
TP 测算（热电偶检测 PCB 温度 TP）
VTS 测算（用 VTS 检测的高压 IC THVIC 的结温）
A：直接测量（由红外摄像机检测的 TJ）
您可以使用红外摄像机直接测量结温。尽管这样看起来很直接，但需要打开模块封装。这个过程很费力、复杂、成本高，并且会改变**后装配的运行。然而，为了能够“查看壳体内部”和“检查”实际元件，这样的工作和成本是值得的。为了进行下列测量，使用专业设备执行打开封装的流程。
联系方式
公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线 发送信件
姓名:吴小姐(女士)
电话:0755-23490212
手机:15712055037
地区:广东-深圳市
地址:深圳龙华新区民治地铁站A出口松花大厦702
QQ:1057160972
商铺:http://m.ceoie.com/highfel/
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