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品牌:仙童
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信息标签:仙童IGBT单管FGH15T120SMDF深圳原装现货,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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仙童IGBT单管FGH15T120SMDF是由欧佩克生产的新型IGBT之一,比上一代IGBT提供更好的DC和AC特性、更长的短路耐受时间以及更低的漏电流。经过所有这些改进,能实现高效和可靠的逆变器系统。电力电子中的许多应用,尤其是电机驱动器、不间断电源(UPS)、可再生能源、电焊机、感应加热炉具和其他需要高电流和高电压能力的逆变器应用。短路耐受能力也是IGBT用于逆变器应用的一项重要功能。
仙童IGBT单管FGH15T120SMDF深圳代理现货
FGA20S125P
FGH60T65SHD
FGPF4565
FGH40T65SHD
FGH75T65SHD
FGH40T65SHDF
FGH40T65SPD
SGP23N60UF
FGH30T65UPDT
FGH25T120SMD
FGH40T120SMD
是一种体积小,集成度高、体积小、更易使用的功率器件,适用于马达控制、逆变、UPS等。内置双管(半桥)IGBT逆变单元电路,栅极与外壳一体化塑封,控制栅极电源+15VDC,采用新型散热绝缘材料双DCB(Direct Copper Bonding)作绝缘基片,增强抗应力能力。
IGBT在电磁炉中的运用
IGBT的总功率损耗包含导通损耗、导电损耗、关闭损耗及二极管损耗。二极管损耗在总功率损耗中所占比例可以忽略不计,而如果使用了零电压开关(ZVS)技术,可以大幅降低导通损耗。然而,并非在电磁炉所有工作功率等级条件下都能实现ZVS。由于储能电路(tank circuit)的一端连接至整流输入电压,零态开关仅在谐振储能电路使其电压到达0 V的功率等级时出现。在某些轻载条件下,储能电路电压在IGBT的集电极不会到达0 V,因此未实现零态开关,导通功率损耗将增加。
IGBT在三电平系统中的运用