价格:未填
品牌:仙童
发货:3天内
信息标签:仙童IGBT单管FGH30T65UPDT深圳原装现货,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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仙童IGBT单管SGP23N60UF是由欧佩克生产的新型IGBT之一,比上一代IGBT提供更好的DC和AC特性、更长的短路耐受时间以及更低的漏电流。经过所有这些改进,能实现高效和可靠的逆变器系统。电力电子中的许多应用,尤其是电机驱动器、不间断电源(UPS)、可再生能源、电焊机、感应加热炉具和其他需要高电流和高电压能力的逆变器应用。短路耐受能力也是IGBT用于逆变器应用的一项重要功能。
仙童IGBT单管FGH30T65UPDT深圳原装现货
NDS9435A,NDS9435 FAIRCHILD SOP-8 P场 -30V -5.3A
FDN336P,FDN336 FAIRCHILD SOT-23 P场 -30V -1.3A
FDN340P,FDN340 FAIRCHILD SOT-23 P场 -20V -2A
NDC652P,NDC652 FAIRCHILD SOT-23-6 P场 -20V -1.3A
D10P05 FAIRCHILD SOT-252 P场 -50V -10A
D15P05 FAIRCHILD SOT-252 P场 -50V -15A
FDD5614P,FDD5614 FAIRCHILD SOT-252 P场 -60V -15A
FDD6637 FAIRCHILD SOT-252 P场 -35V -55A
FQD17P06,17P06,D17P06 FAIRCHILD SOT-252 P场 -60V -17A
FQD3P50,3P50,D3P50 FAIRCHILD SOT-252 P场 -500V -2.1A
IGBT在电磁炉中的运用
IGBT的总功率损耗包含导通损耗、导电损耗、关闭损耗及二极管损耗。二极管损耗在总功率损耗中所占比例可以忽略不计,而如果使用了零电压开关(ZVS)技术,可以大幅降低导通损耗。然而,并非在电磁炉所有工作功率等级条件下都能实现ZVS。由于储能电路(tank circuit)的一端连接至整流输入电压,零态开关仅在谐振储能电路使其电压到达0 V的功率等级时出现。在某些轻载条件下,储能电路电压在IGBT的集电极不会到达0 V,因此未实现零态开关,导通功率损耗将增加。
FGH30T65UPDT的电源逆变器工作原理
由于电源逆变器一般采用全桥拓扑,因此这个太阳能逆变器设计采用了4个高压IGBT。晶体管Q1和Q2用作高压端IGBT,Q3和Q4用作低压端功率器件。为保持低的总功率损耗低和高的电源转换效率,这个DC/DC逆变器解决方案利用低压端和高压端IGBT产生频率为60Hz的单相交流纯正弦波形。
实质上,为保持谐波分量低和功率损耗**小,逆变器的高压端IGBT采用脉宽调制(PWM),低压端IGBT则以60Hz频率变换电流方向。通过让高压端IGBT使用20kHz或20kHz以上的PWM频率和50/60Hz调制方案,输出电感L1和L2在实例中可以做得很小,并且照样能对谐波分量进行高效滤波。此外,来自逆变器的可闻噪声也很小,因为开关频率高于人耳听觉频率。
比较各种开关技术和IGBT的发现,获得**功率损耗和**高逆变器性能的**组合是高压端晶体管使用超**沟道型IGBT,低压端晶体管使用标准速度的平面工艺IGBT。