价格:未填
品牌:仙童
发货:3天内
信息标签:仙童IGBT单管FGH40T65SHDF深圳原装现货,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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仙童IGBT单管FGH40T65SHDF是由欧佩克生产的新型IGBT之一，比上一代IGBT提供更好的DC和AC特性、更长的短路耐受时间以及更低的漏电流。经过所有这些改进，能实现高效和可靠的逆变器系统。电力电子中的许多应用，尤其是电机驱动器、不间断电源(UPS)、可再生能源、电焊机、感应加热炉具和其他需要高电流和高电压能力的逆变器应用。短路耐受能力也是IGBT用于逆变器应用的一项重要功能。

电气特性 
• 增加阻断电压至650V 
• 提高工作结温
• 沟槽栅IGBT4 
• Tvjop=150°C 
• VCEsat带正温度系数 

IGBT在电磁炉中的运用
   IGBT的总功率损耗包含导通损耗、导电损耗、关闭损耗及二极管损耗。二极管损耗在总功率损耗中所占比例可以忽略不计，而如果使用了零电压开关(ZVS)技术，可以大幅降低导通损耗。然而，并非在电磁炉所有工作功率等级条件下都能实现ZVS。由于储能电路(tank circuit)的一端连接至整流输入电压，零态开关仅在谐振储能电路使其电压到达0 V的功率等级时出现。在某些轻载条件下，储能电路电压在IGBT的集电极不会到达0 V，因此未实现零态开关，导通功率损耗将增加。