价格:未填
品牌:仙童
发货:3天内
信息标签:仙童IGBT单管FGPF4565深圳代理原装现货,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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仙童IGBT单管FGPF4565是采用采用第四代沟槽栅/场终止技术带有温度检测NTC EconoDUAL™3模块，经过优化，英飞凌FF300R07ME4_B11适用于高频和硬开关应用，在降低开关损耗、实现出类拔萃的效率方面，树立了行业新**并可满足开关频率高达100 kHz的应用需求。 低电压器件改进后的频谱性能和更低的开关损耗，使得UPS系统或太阳能逆变器等需要滤波器的产品受益匪浅。

应用范围 功率 功率特性 大功率
频率特性 高频 极性 NPN型
结构 点接触型 材料 硅(Si)
封装形式 直插型 封装材料 金属封装
特征频率 10（MHz） 集电极允许电流 30（A）
集电极**允许耗散功率 10（W） 营销方式 拆机
产品性质 热销
FGH12040WD_F155
FGH75T65SQD
FGL12040WD
FGH40T70SHD
FGA40S65SH
FGD5T120SH
FGH75T65SHDTL4
FGY40T120SMD
FGH30S150P
FGA5065ADF
FGA3060ADF
FGA4060ADF

机械特性
• 集成NTC温度传感器 
• 绝缘的基板 
• 铜基板 
• PressFIT压接技术 
• 坚固的自成型PressFIT压接安装 
• 标封装

IGBT在电磁炉中的运用
   IGBT的总功率损耗包含导通损耗、导电损耗、关闭损耗及二极管损耗。二极管损耗在总功率损耗中所占比例可以忽略不计，而如果使用了零电压开关(ZVS)技术，可以大幅降低导通损耗。然而，并非在电磁炉所有工作功率等级条件下都能实现ZVS。由于储能电路(tank circuit)的一端连接至整流输入电压，零态开关仅在谐振储能电路使其电压到达0 V的功率等级时出现。在某些轻载条件下，储能电路电压在IGBT的集电极不会到达0 V，因此未实现零态开关，导通功率损耗将增加。