价格:未填
品牌:仙童
发货:3天内
信息标签:仙童IGBT单管FGH40T120SMDL4深圳库存现货,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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仙童IGBT单管
FGH40T120SMDL4是采用EconoPACK™4封装的带有温度检测NTC的沟槽型英飞凌第四代IGBT模块,随着**近几年,工业驱动、感应加热、电焊机、UPS和太阳能逆变器等应用对IGBT的需求大幅提高。所有这些产品都需要具有特定优化特性的功率开关。以FGH40T120SMDL4为代表的新一代突破性IGBT针对高频应用进行优化,具备**的开关损耗并提高了系统效率.
仙童IGBT单管FGH40T120SMDL4深圳库存现货
品牌:FAIRCHILD/仙童
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:A/宽频带放大
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:GE-N-FET锗N沟道
**漏极电流:10
跨导:10
开启电压:1200
夹断电压:1250
低频噪声系数:5
极间电容:10
**耗散功率:10
IGBT串并联使用注意事项
1)并联目的是增大使用的工作电流,但器件要匹配,每模块的Uce之差小于0.3V。还要降流使用,对于不小于200A的模块,600V的降10%Ic,1200~1400V的降15%Ic,1700V的降20%Ic,并要取饱和压降相等或接近的模块才行。栅控电路要分开,除静态均流外,还有动态均流问题,并使温度相接近,以免影响电流的均衡分配,因IGBT是负阻特性的器件。
2)串联目的是增高使用的工作电压,其要求比并联更高,主要是静态均压及动态均压问题,尤其是动态均压有一定难度。针对这个问题成都佳灵公司提出了容性母板技术1+N只串联动态电压钳位均压方式c若动态均压不佳,将造成串联臂各器件上的Uce电压不等,造成一个器件过电压,影响同一臂的一串器件电击穿。
总之,IGBT的串、并联应尽量避免,不要以低电压小电流器件,通过串、并联解决高电压大电流的问题,这样的做法往往适得其反,而器件增多可靠性更差,电路也复杂,在不得已的条件下,要慎重。目前使用单个ICBT的电压或电流基本能满足用户的需要,随着电路的改进,将会有更高电压、更大电流的功率器件问世,这是必然的。