仙童IGBT单管FGA6530WDF
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 MOS-FBM/全桥组件
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 MES金属半导体
开启电压 10（V） 夹断电压 10（V）
低频跨导 2（μS） 极间电容 2（pF）
低频噪声系数 2（dB） **漏极电流 1（mA）
**耗散功率 5（mW）
IGBT 模块中 IGBT 及续流二极管芯片特征参数
EUPEC IGBT 模块全部采用西门子 ／Infineon IGBT 芯片，从型号中的后缀来区分，用户 应根据不同的开关频率范围来选用相应的 IGBT 模块。 EUPEC
1、EUPEC 600V 系列 IGBT 模块芯片特征参数
注：① 600V“DLC”和“KE3”是高频器件，可工作在 20KHz；
② “KE3”**高结温可达 175℃。 EUPEC
2、EUPEC 1200V IGBT 模块芯片特征参数：
注：①公司将逐步推广“KS4”芯片以替代“DN2”芯片，用于逆变电焊机，UPS，通信 电源，开关电源等开关频率大于 15KHz 的应用领域；
②晶川公司已完成在变频器等开关频率 fK≤10KHz 的应用领域，用“KE3”代替“DLC”系列；
③对于 fK≤15KHz 的应用场合，我们将逐步推广 EUPEC “KT3”系列, 来取代”KE3“系列；
④后缀为“KF4”或“KL4C”是指 EUPEC IHM 的芯片分类标志。