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仙童IGBT单管FGH75T65SQD深圳库存现货

发布时间:2016-07-18 15:30:35 产品编号:GY-5-90996386 分享

价格:未填
品牌:仙童
发货:3天内
信息标签:仙童IGBT单管FGH75T65SQD深圳库存现货,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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仙童IGBT单管FGH75T65SQD通过采用沟道构造，使漏极与源极间的饱和电压(VCE(on))仅为1.57V(+25℃下的标准值)，由此可减少电源电路的功率损失。漏极与源极间的饱和电压的温度系数为正值，因此可轻松实现使用多个 IGBT模块的并联构成。仙童IGBT单管FGH75T65SQD是由欧佩克生产的新型IGBT之一，比上一代IGBT提供更好的DC和AC特性、更长的短路耐受时间以及更低的漏电流。经过所有这些改进，能实现高效和可靠的逆变器系统。仙童IGBT单管FGH75T65SQD电力电子中的许多应用，尤其是电机驱动器、不间断电源(UPS)、可再生能源、电焊机、感应加热炉具和其他需要高电流和高电压能力的逆变器应用。短路耐受能力也是IGBT用于逆变器应用的一项重要功能。

仙童IGBT单管FGH75T65SQD深圳库存现货

特征

•高电流能力

•低饱和电压VCE（SAT）：= 1.9 V（典型值。）@ IC = 40

•高输入阻抗

•**切换

•符合RoHS
FQP18N20V2 200V/18A/0.14Ω/TO220 FQP13N50 500V/13A/ 0.33Ω/TO220 FQP12N60 600V/12A/ 0.55Ω/TO220 FQP3N90 900V/3.6A/3.3Ω/TO220 FQP4N90 900V/4.2A/2.7Ω/TO220 FQP5N90 900V/5.4A/1.8Ω/TO220 FQP7N80 800V/6.6A/1.2Ω/TO220 FQA160N08 80V/160A/0.0056Ω/TO3P FQA44N10 100V/48A/0.03Ω/TO3P FQA70N10 100V/70A/0.019Ω/TO3P FQA140N10 100V/140A/0.008Ω/TO3P FQA90N15 150V/90A/0.014Ω/TO3P FQA34N20 200V/34A

设计优势：

电源解决方案是 Fairchild 核心业务的一部分，五十多年来我们已经持续提供**的功率半导体

MOSFET 和栅极驱动 IP 相结合构建了针对应用而优化的解决方案，在整个系统中**小化了开关和导通损耗

能够混合和匹配 MOSFET、控制器和 PWM 驱动器 IP，具有**的运行和封装性能以提供优化的元件选择

我们的 FET 提供出色的设计可靠性，减少电压尖峰和过冲，降低结电容和反向恢复电荷，消除额外所需的外部元件以保持系统启动和更长久运行。

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