英飞凌IGBT模块FF900R12IP4DV深圳**原装_供应

英飞凌IGBT模块FF900R12IP4DV深圳**原装

发布时间:2016-07-18 14:11:16 产品编号:GY-5-90982718 分享

价格:未填
品牌:英飞凌
发货:3天内
信息标签:英飞凌IGBT模块FF900R12IP4DV深圳正品原装,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，进步系统效率，现已开发成功第二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热门。

英飞凌IGBT模块FF900R12IP4DV深圳**原装
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配置： Dual

集电极—发射极**电压 VCEO： 1200 V

集电极—射极饱和电压： 2.1 V

在25 C的连续集电极电流： 420 A

栅极—射极漏泄电流： 400 nA

功率耗散： 1550 W

**工作温度： + 125 C

封装 / 箱体： 62 mm

商标： Infineon Technologies

栅极/发射极**电压： +/- 20 V

**小工作温度： - 40 C

安装风格： Screw

工厂包装数量： 500

产品特点：
•功能强大的单片体二极管具有极低的正向电压。
•体二极管钳位电压负。
•沟槽场终止技术， 1600 V应用提供：- 参数分布非常紧凑- 高耐用性，温度稳定的行为。
•NPT技术提供因易并行交换能力在V正温度系数CE （ SAT ）。
•低EMI。
•根据JEDEC合格1为目标的应用。
•无铅镀铅;符合RoHS标准。
•完整的产品范围和PSpice的模型。

IGBT模块工作原理　
IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子)，对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。

联系方式

公司:海飞乐技术有限公司
状态:离线发送信件
姓名:吴小姐(女士)
电话:0755-23490212
手机:15712055037
地区:广东-深圳市
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QQ:1057160972
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