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品牌:英飞凌
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信息标签:英飞凌IGBT模块FF300R12KT3深圳代理原装,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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产品特点：
 •功能强大的单片体二极管具有极低的正向电压。
 •体二极管钳位电压负。
 •沟槽场终止技术， 1600 V应用提供：- 参数分布非常紧凑- 高耐用性，温度稳定的行为。
 •NPT技术提供因易并行交换能力在V正温度系数CE （ SAT ）。
 •低EMI。
 •根据JEDEC合格1为目标的应用。
 •无铅镀铅;符合RoHS标准。
 •完整的产品范围和PSpice的模型。

EUPEC 第三代 IGBT 有两种系列。后缀为“KE3”的是低频系列，其**开关频率为 1K －8KHz。1200V IGBT 饱和压降 VCE(sat)＝1.7V，**适合于变频器应用。在变频器应用中，北京 晶川公司在中国已完成用“KE3”系列代替“DLC”系列的工作。在“KE3”的基础上，采用 浅沟槽和优化“FS”层离子注入浓度、厚度以及集电区掺杂浓度等，又开发出高频系列，以 后缀“KT3”为标志。EUPEC“KT3”系列在饱和压降不增加的情况下，开关频率可提高到 15KHz，**适合于 8KHz－15KHz 的应用场合。在开关频率 fK ≥8KHz 应用中，“KT3”比 “KE3”开关损耗降低 20％左右。Infineon／EUPEC 600V 系列 IGBT3 后缀为“KE3”，是高频 IGBT 模块，开关频率可达到 20KHz，饱和压降为 1.50V，**高工作结温可高达 175℃。 Infineon／EUPEC 第三代 IGBT，采用了沟槽栅及电场终止层（FS）两种新技术，带来了 IGBT 芯 片 厚 度 大 大 减 薄 。 传 统 1200V NPT- IGBT 芯片 厚 度 约 为 200μm ， IGBT3 后 缀 为 “KE3”的，厚度为 140μm 左右；后缀为“KT3”芯片厚度进一步减薄到 120μm 左右；600V IGBT3 其芯片厚度仅为 70μm 左右，这样薄的晶片，加工工艺难度较大。Infineon 在超薄晶片加 工技术方面在全球处于**地位。 总之，Infineon／EUPEC IGBT3 采用了当今 IGBT 的**技术（沟槽栅＋电场终止层）， 是目前**异的 IGBT 产品，有些电力半导体厂家称这些技术为第五代，甚至称之为第八代 IGBT 技术。Infineon／EUPEC 称之为第三代，正如在其型号中的电流标称一样，总是按 TC＝ 80℃来标称，让产品来说话，让用户来评判。