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品牌:英飞凌
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信息标签:英飞凌IGBT模块FZ400R12KP4深圳代理现货,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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IGBT是将强电流、高压应用和**终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然**一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图。
IGBT应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域,为满足家电行业的发展需求,摩托罗拉、ST半导体、三菱等公司推出低功率IGBT产品,实用于家电行业的微波炉、洗衣机、电磁灶、电子整流器、照相机等产品的应用。
英飞凌IGBT模块FZ400R12KP4深圳代理现货
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英飞凌IGBT模块FZ400R12KP4 IGBT模块工作原理
从栅极电压的t1 点开始。当此电压下降至 Miller 稳定状态平台(反向传输电容 Cres 的放电)时,IGBT3开始建立反向电压 (t2),(dv/dt)可以通过栅极电阻控制,即栅极电阻增加,dv/dt 会降低。但是,当栅极电压在IGBT 电流下降前跌至 Miller 稳定状态平台以下时,栅极电阻便不再控制电流变化率 (-di/dt)。这是在使用接近标称栅极电阻时出现的情况。只有在较大的栅极电阻区域,栅极电压能维持在 Miller 稳定状态平台到电流换相时,电流变化率才能控制。电感负载时,只要 IGBT 中的反向电压达到 直流回路的电压时,(t3),电流就会通过相关的续流二极管换流。
英飞凌IGBT模块FZ400R12KP4 通过采用沟道构造,使漏极与源极间的饱和电压(VCE(on))仅为1.57V(+25℃下的标准值),由此可减少电源电路的功率损失。漏极与源极间的饱和电压的温度系数为正值,因此可轻松实现使用多个BSM200GD60DLC IGBT模块的并联构成。
专业IGBT模块代理/批发/零售:三菱、英飞凌、eupec、富士、东芝、三社、三垦、西门康、IR,IXYS,日立,等品牌,电源模块,功率模块,GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅,整流桥模块,快恢复二极管,场效应及驱动电路.