英飞凌 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

英飞凌IGBT模块FZ3600R12HP4深圳代理库存
Description:
1200V IHMB 190mm single switch IGBT Module with soft-switching Trench-IGBT4 - The best solution for your industry applications
Summary of Features:
Extended Operation Temperature T(vj op)
4kV AC 1min Insulation
Package with CTI > 400
UL recognised
FS35R12KE3G 
FS25R12KE3G 
FZ800R12KS4_B2 
FZ600R12KS4 
FF1400R12IP4 
FF900R12IP4 
FF900R12IP4V 
FF900R12IP4D 
FF900R12IP4DV 
FF600R12IP4 
FF600R12IP4V 
FF1400R12IP4P 
FF900R12IP4P 
  **典型的代表是后缀为“DN2”系列。如 BSM200GB120DN2。 “DN2”系列**适用频率为 15KHz－20KHz，饱和压降 VCE(sat)=2.5V。“DN2”系列几乎适 用于所有的应用领域。西门子在“DN2”系列的基础上通过优化工艺，开发出“DLC”系列。 “ DLC ” 系 列 是 低 饱 和 压 降 ， （ VCE(sat)=2.1V ） ， ** 佳 开 关 频 率 范 围 为 1KHz － 8KHz 。 “DLC”系列是适用于变频器等频率较低的应用场合。后来 Infineon／EUPEC 又推出短拖尾 电流、高频“KS4”系列。“KS4”系列是在“DN2”的基础上，开关频率得到进一步提高， **使用开关频率为 15KHz－30KHz。**适合于逆变焊机，UPS，通信电源，开关电源，感应 加热等开关频率比较高（fK≥20KHz）的应用场合。在这些应用领域，将逐步取代“DN2”系 列。EUPEC 用“KS4”芯片开发出 H—桥（四单元）IGBT 模块，其特征是内部封装电感低， 成本低，可直接焊在 PCB 版上（注：这种结构在变频器应用中早已成熟，并大量使用）。总 之，EUPEC IGBT 模块中“DN2”、“DLC”、“KS4”采用 NPT 工艺，平面栅结构，是第二 代 NPT-IGBT。