英飞凌 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

英飞凌IGBT模块FZ600R12KS4深圳**现货
气和机械特性：
电气特性 
• 沟槽栅IGBT3 
• Tvjop=150°C
• VCEsat带正温度系数 
 
机械特性 
• 高功率密度 
• 绝缘的基板 
• 标封装

英飞凌IGBT模块FZ600R12KS4
配置： Dual
集电极—发射极**电压 VCEO： 600 V
集电极—射极饱和电压： 1.9 V
在25 C的连续集电极电流： 700 A
栅极—射极漏泄电流： 400 nA
功率耗散： 1650 W
**工作温度： + 150 C
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极**电压： +/- 20 V
**小工作温度： - 40 C
安装风格： Screw
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工厂包装数量： 10