英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球**的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立，2000年上市。其中文名称为亿恒科技，2002年后更名为英飞凌科技。

  英飞凌 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

英飞凌IGBT模块DF400R12KE3深圳库存现货
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 MOS-TPBM/三相桥
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 MES金属半导体
开启电压 8（V） 夹断电压 1（V）
低频跨导 2（μS） 极间电容 1（pF）
低频噪声系数 1（dB） **漏极电流 1（mA）
**耗散功率 3（mW）
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