IGBT的总功率损耗包含导通损耗、导电损耗、关闭损耗及二极管损耗。二极管损耗在总功率损耗中所占比例可以忽略不计，而如果使用了零电压开关(ZVS)技术，可以大幅降低导通损耗。然而，并非在电磁炉所有工作功率等级条件下都能实现ZVS。由于储能电路(tank circuit)的一端连接至整流输入电压，零态开关仅在谐振储能电路使其电压到达0 V的功率等级时出现。在某些轻载条件下，储能电路电压在IGBT的集电极不会到达0 V，因此未实现零态开关，导通功率损耗将增加。

英飞凌IGBT模块FF75R12RT4原装库存现货
电气特性 
• 增加阻断电压至650V 
• 增加直流母线电压 
• 高短路能力，自限制短路电流 
• 沟槽栅IGBT4 
• Tvjop=150°C 
机械特性
• 集成NTC温度传感器 
• 绝缘的基板 
• 铜基板 
• PressFIT压接技术 
• 坚固的自成型PressFIT压接安装 
• 标封装
FS75R07U1E4 
FS50R07U1E4 
F3L150R07W2E3_B11 
F3L100R07W2E3_B11 
F3L75R07W2E3_B11 
F3L50R06W1E3_B11 
F3L30R06W1E3_B11 
FD600R06ME3_S2 
FD600R06ME3_B11_S2 
FD300R06KE3 
FF600R06ME3 
FF450R06ME3 
FF400R06KE3 
FF300R06KE3 
FF300R06KE3_B2 
FF200R06KE3 
FF200R06YE3 

英飞凌IGBT模块FF75R12RT4的电源逆变器工作原理
  由于电源逆变器一般采用全桥拓扑，因此这个太阳能逆变器设计采用了4个高压IGBT。晶体管Q1和Q2用作高压端IGBT，Q3和Q4用作低压端功率器件。为保持低的总功率损耗低和高的电源转换效率，这个DC/DC逆变器解决方案利用低压端和高压端IGBT产生频率为60Hz的单相交流纯正弦波形。
  　实质上，为保持谐波分量低和功率损耗**小，逆变器的高压端IGBT采用脉宽调制(PWM)，低压端IGBT则以60Hz频率变换电流方向。通过让高压端IGBT使用20kHz或20kHz以上的PWM频率和50/60Hz调制方案，输出电感L1和L2在实例中可以做得很小，并且照样能对谐波分量进行高效滤波。此外，来自逆变器的可闻噪声也很小，因为开关频率高于人耳听觉频率。
比较各种开关技术和IGBT的发现，获得**功率损耗和**高逆变器性能的**组合是高压端晶体管使用超**沟道型IGBT，低压端晶体管使用标准速度的平面工艺IGBT。
  专业销售各种电子元器件产品包括：IGBT、电流传感器、熔断器、专业代理经销英飞凌IGBT模块，富士IGBT模块，三菱IGBT模块,IXYS，IGBT模块，以及其它工控元器件，电容传感器，熔断器，光耦，钽电容，继电器，防雷器，断路器接触器等国际品牌电子元器件。全国销售，全新原装，质量保证！