IGBT的总功率损耗包含导通损耗、导电损耗、关闭损耗及二极管损耗。二极管损耗在总功率损耗中所占比例可以忽略不计，而如果使用了零电压开关(ZVS)技术，可以大幅降低导通损耗。然而，并非在电磁炉所有工作功率等级条件下都能实现ZVS。由于储能电路(tank circuit)的一端连接至整流输入电压，零态开关仅在谐振储能电路使其电压到达0 V的功率等级时出现。在某些轻载条件下，储能电路电压在IGBT的集电极不会到达0 V，因此未实现零态开关，导通功率损耗将增加。

英飞凌IGBT模块DF150R12RT4深圳代理现货
FS100R07N3E4
FS100R07N3E4_B11 
FS100R07N2E4 
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FS75R07N2E4 
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FS75R07U1E4 
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F3L150R07W2E3_B11 
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F3L75R07W2E3_B11 
F3L50R06W1E3_B11 
F3L30R06W1E3_B11 
FD600R06ME3_S2 
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FF600R06ME3 
FF450R06ME3 
FF400R06KE3 
FF300R06KE3 
FF300R06KE3_B2 
FF200R06KE3 
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F4-75R06W1E3 
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F4-30R06W1E3 
FP100R06KE3 
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FP50R06W2E3 
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英飞凌IGBT模块DF150R12RT4  产品种类： IGBT 模块
品牌和型号 英飞凌BSM150GB170DLC
产品： IGBT Silicon Modules
配置： Dual
集电极—发射极**电压 VCEO： 1700 V
集电极—射极饱和电压： 2.6 V
在25 C的连续集电极电流： 300 A
栅极—射极漏泄电流： 200 nA
功率耗散： 1.25 kW
**工作温度： + 125 C
封装 / 箱体： 62 mm
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极**电压： +/- 20 V
**小工作温度： - 40 C
安装风格： Screw
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工厂包装数量： 500

  专业销售各种电子元器件产品包括：IGBT、电流传感器、熔断器、专业代理经销英飞凌IGBT模块，富士IGBT模块，三菱IGBT模块,IXYS，IGBT模块，以及其它工控元器件，电容传感器，熔断器，光耦，钽电容，继电器，防雷器，断路器接触器等国际品牌电子元器件。全国销售，全新原装，质量保证！