IGBT的总功率损耗包含导通损耗、导电损耗、关闭损耗及二极管损耗。二极管损耗在总功率损耗中所占比例可以忽略不计，而如果使用了零电压开关(ZVS)技术，可以大幅降低导通损耗。然而，并非在电磁炉所有工作功率等级条件下都能实现ZVS。由于储能电路(tank circuit)的一端连接至整流输入电压，零态开关仅在谐振储能电路使其电压到达0 V的功率等级时出现。在某些轻载条件下，储能电路电压在IGBT的集电极不会到达0 V，因此未实现零态开关，导通功率损耗将增加。

英飞凌IGBT模块DF200R12PT4_B6现货
产品型号 参数说明 封装形式
FF150R12ME3G 150A , 1200V , IGBT3 EconoDUAL 3
FF150R12MS4G 150A , 1200V , IGBT2 EconoDUAL 3

FF400R12KE3_B2 400A , 1200V , IGBT3 62 mm
FF400R12KE3 400A , 1200V , IGBT3 62 mm
FF400R12KT3_E 400A , 1200V , IGBT3 62 mm
FF450R12KE4 450A , 1200V , IGBT4 62 mm
FF450R12KT4 450A , 1200V , IGBT4 62 mm
FF450R12ME3 450A , 1200V , IGBT3 EconoDUAL 3
FF450R12ME4_B11 450A , 1200V , IGBT4 EconoDUAL 3
FF600R12IE4 600A , 1200V , IGBT4 PrimePACK 2
FF600R12IP4 600A , 1200V , IGBT4 PrimePACK 2
FF600R12IS4F 600A , 1200V , IGBT2 PrimePACK 2
FF800R12KE3 800A , 1200V , IGBT3 IHM 130 mm
FF1200R12KE3 1200A , 1200V , IGBT3 IHM 130 mm
FF1400R12IP4 1400A , 1200V , IGBT4 PrimePACK 3
产品种类： IGBT 模块
品牌和型号 英飞凌BSM150GB170DLC
产品： IGBT Silicon Modules
配置： Dual
集电极—发射极**电压 VCEO： 1700 V
集电极—射极饱和电压： 2.6 V
在25 C的连续集电极电流： 300 A
栅极—射极漏泄电流： 200 nA
功率耗散： 1.25 kW
**工作温度： + 125 C
封装 / 箱体： 62 mm
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极**电压： +/- 20 V
**小工作温度： - 40 C
安装风格： Screw
产品报价和资料 联系外面索取和咨询
工厂包装数量： 500

DF200R12PT4_B6 IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成)，称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector )，它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。　IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子)，对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。

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