IGBT的总功率损耗包含导通损耗、导电损耗、关闭损耗及二极管损耗。二极管损耗在总功率损耗中所占比例可以忽略不计，而如果使用了零电压开关(ZVS)技术，可以大幅降低导通损耗。然而，并非在电磁炉所有工作功率等级条件下都能实现ZVS。由于储能电路(tank circuit)的一端连接至整流输入电压，零态开关仅在谐振储能电路使其电压到达0 V的功率等级时出现。在某些轻载条件下，储能电路电压在IGBT的集电极不会到达0 V，因此未实现零态开关，导通功率损耗将增加。

英飞凌IGBT模块F3L300R12MT4_B23**现货
产品种类： IGBT 模块
品牌和型号 英飞凌BSM150GB170DLC
产品： IGBT Silicon Modules
配置： Dual
集电极—发射极**电压 VCEO： 1700 V
集电极—射极饱和电压： 2.6 V
在25 C的连续集电极电流： 300 A
栅极—射极漏泄电流： 200 nA
功率耗散： 1.25 kW
**工作温度： + 125 C
封装 / 箱体： 62 mm
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极**电压： +/- 20 V
**小工作温度： - 40 C
安装风格： Screw
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工厂包装数量： 500

保管时的注意事项
1.一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃ ，常湿的规定在45～75％左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿;
2.尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合；
3.在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方；
4.保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物；
5.装IGBT模块的容器，应选用不带静电的容器。

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