IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知，若在IGBT的栅极G和发射极E之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极C与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极G—发射极E间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。

英飞凌IGBT模块DF160R12W2H3F_B11**现货
FZ3600R17KE3_B2 3600A/1700V/IGBT/1U INFINEON/EUPEC IN STOCK
FZ1200R17HP4_B2 1200A/1700V/IGBT/1U INFINEON/EUPEC IN STOCK
FZ1600R17HP4_B2 1600A/1700V/IGBT/1U INFINEON/EUPEC IN STOCK
FZ1800R17HP4_B2 1800A/1700V/IGBT/1U INFINEON/EUPEC IN STOCK
FZ2400R17HP4_B2 2400A/1700V/IGBT/1U INFINEON/EUPEC IN STOCK
FZ3600R17HP4_B2 3600A/1700V/IGBT/1U INFINEON/EUPEC IN STOCK
FZ800R33KF2C 800A/3300V/IGBT/1U INFINEON/EUPEC IN STOCK
产品种类： IGBT 模块
品牌和型号 英飞凌BSM150GB170DLC
产品： IGBT Silicon Modules
配置： Dual
集电极—发射极**电压 VCEO： 1700 V
集电极—射极饱和电压： 2.6 V
在25 C的连续集电极电流： 300 A
栅极—射极漏泄电流： 200 nA
功率耗散： 1.25 kW
**工作温度： + 125 C
封装 / 箱体： 62 mm
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极**电压： +/- 20 V
**小工作温度： - 40 C
安装风格： Screw
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工厂包装数量： 500

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