IGBT模块FS20R06VE3_B2 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子)，对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。

英飞凌FS20R06VE3_B2 是由欧佩克生产的新型IGBT之一，FS20R06VE3_B2 比上一代IGBT提供更好的DC和AC特性、更长的短路耐受时间以及更低的漏电流。经过所有这些改进，FS20R06VE3_B2 能实现高效和可靠的逆变器系统。产品电力电子中的许多应用，尤其是电机驱动器、不间断电源(UPS)、可再生能源、电焊机、感应加热炉具和其他需要高电流和高电压能力的逆变器应用。短路耐受能力也是IGBT用于逆变器应用的一项重要功能。  

BSM100GD120DLC 100A/1200V/6U BSM35GD120DLC 35A/1200V/6U 

BSM150GD60DLC 150A/600V/6U BSM50GD170DL 50A/1700V/6U 

BSM200GD60DLC 200A/600V/6U BSM75GD170DL 75A/1700V/6U 

BSM10GD120DN2 10A/1200V/6U BSM100GT170DL 100A/1700V/6U 

BSM15GD120D2 15A/1200V/6U BSM100GT120DN2 100A/1200V/6U 

BSM15GD120DN1 15A/1200V/6U BSM150GT120DN2 150A/1200V/6U 

BSM15GD120DN2 15A/1200V/6U BSM150GT170DL 150A/1700V/6U 

BSM25GD120DN1 25A/1200V/6U BSM200GT120DN2 200A/1200V/6U 

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