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信息标签:英飞凌IGBT模块FS30R06VE3库存现货,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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英飞凌IGBT模块FS30R06VE3库存现货
发布时间:2016-07-12 15:44:12 产品编号:GY-5-90102389 分享
价格:未填
品牌:英飞凌
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IGBT模块FP10R06W1E3_B11 是将强电流、高压应用和**终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然**一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。
英飞凌FS30R06VE3 参数
|
产品种类： |
IGBT 模块 |
|
产品： |
IGBT Silicon Modules |
|
品牌和型号 |
英飞凌BSM200GD60DLC |
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配置： |
Hex |
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集电极—发射极**电压 VCEO： |
600 V |
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集电极—射极饱和电压： |
2.45 V |
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在25 C的连续集电极电流： |
226 A |
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栅极—射极漏泄电流： |
400 nA |
|
功率耗散： |
700 W |
|
**工作温度： |
+ 125 C |
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封装 / 箱体： |
EconoPACK 3A |
|
商标： |
Infineon Technologies |
|
栅极/发射极**电压： |
+/- 20 V |
|
**小工作温度： |
- 40 C |
|
安装风格： |
Screw |
|
产品价格和中英文资料 |
联系外面咨询和索取 |
|
工厂包装数量： |
500 |
FZ400R12KE3_B1 400A/1200V/IGBT/1U INFINEON/EUPEC IN STOCK
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使用中的注意事项
由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：
1.在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸；
2.在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块；
3.尽量在底板良好接地的情况下操作。
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