IGBT模块FS50R06W1E3是将强电流、高压应用和**终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然**一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图。
英飞凌FS50R06W1E3 IGBT模块
DD600S16K4 600A , 1600V IHM 130 mm
BYM300B170DN2 300A , 1700V 62 mm
BYM600A170DN2 400A , 1700V 62 mm
DD400S17K6C_B2 400A , 1700V IHM 130 mm
DD600S17K3_B2 600A , 1700V IHM 130 mm
DZ800S17K3 800A , 1700V 62 mm
DD800S17K3_B2 800A , 1700V IHM 130 mm
DD800S17K6C_B2 800A , 1700V IHM 130 mm
DD800S17H4_B2 800A , 1700V IHMB 130 mm
DD1200S17H4_B2 1200A , 1700V IHMB 130 mm
DZ3600S17K3_B2 3600A , 1700V IHM 190 mm
英飞凌IGBT模块3300V单管(1单元)
产品型号 参数说明 封装形式 下载
FZ400R33KL2C_B5 400A , 3300V , IGBT2 IHV 73 mm
FZ800R33KF2C 800A , 3300V , IGBT2 IHV 130 mm
FZ800R33KL2C_B5 800A , 3300V , IGBT2 IHV 130 mm
FZ800R33KL2C 800A , 3300V , IGBT2 IHV 130 mm
FZ1000R33HE3 1000A , 3300V , IGBT3 IHVB 130 mm
FZ1000R33HL3 1000A , 3300V , IGBT3 IHVB 130 mm
FZ1200R33KL2C_B5 1200A , 3300V , IGBT2 IHV 190 mm
FZ1200R33KL2C 1200A , 3300V , IGBT2 IHV 190 mm
FZ1200R33KF2C 1200A , 3300V , IGBT2 IHV 190 mm
FZ1200R33HE3 1200A , 3300V , IGBT3 IHVB 190 mm
FZ1500R33HE3 1500A , 3300V , IGBT3 IHVB 190 mm
FZ1500R33HL3 1500A , 3300V , IGBT3 IHVB 190 mm
英飞凌FS50R06W1E3 IGBT模块工作原理
从栅极电压的t1 点开始。当此电压下降至 Miller 稳定状态平台(反向传输电容 Cres 的放电)时,IGBT3开始建立反向电压 (t2),(dv/dt)可以通过栅极电阻控制,即栅极电阻增加,dv/dt 会降低。但是,当栅极电压在IGBT 电流下降前跌至 Miller 稳定状态平台以下时,栅极电阻便不再控制电流变化率 (-di/dt)。这是在使用接近标称栅极电阻时出现的情况。只有在较大的栅极电阻区域,栅极电压能维持在 Miller 稳定状态平台到电流换相时,电流变化率才能控制。电感负载时,只要 IGBT 中的反向电压达到 直流回路的电压时,(t3),电流就会通过相关的续流二极管换流。