价格:未填
品牌:英飞凌
发货:3天内
信息标签:英飞凌IGBT模块FP10R06W1E3_B11库存现货,供应,电子、电工,电子元器件及组件

点击这里进行电话呼叫

点击这里QQ咨询

联系时一定要说在【贸易商务资源网】看到的将给您优惠！如果您也想和该公司一样在网站发信息有好排名，点击立即免费注册，发布产品推广。

 英飞凌FP10R06W1E3_B11参数

产品： IGBT Silicon Modules
品牌和型号 英飞凌FF600R06ME3
配置： Dual
集电极—发射极**电压 VCEO： 600 V
集电极—射极饱和电压： 1.9 V
在25 C的连续集电极电流： 700 A
栅极—射极漏泄电流： 400 nA
功率耗散： 1650 W
**工作温度： + 150 C
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极**电压： +/- 20 V
**小工作温度： - 40 C
安装风格： Screw
产品价格和中英文资料 联系我们咨询和索取
工厂包装数量： 10
使用中的注意事项
    由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：
1.在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸； 
2.在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块； 
3.尽量在底板良好接地的情况下操作。

 英飞凌FP10R06W1E3_B11 IGBT模块工作原理
   从栅极电压的t1 点开始。当此电压下降至 Miller 稳定状态平台（反向传输电容 Cres 的放电）时，IGBT3开始建立反向电压 (t2)，(dv/dt)可以通过栅极电阻控制，即栅极电阻增加，dv/dt 会降低。但是，当栅极电压在IGBT 电流下降前跌至 Miller 稳定状态平台以下时，栅极电阻便不再控制电流变化率 (-di/dt)。这是在使用接近标称栅极电阻时出现的情况。只有在较大的栅极电阻区域，栅极电压能维持在 Miller 稳定状态平台到电流换相时，电流变化率才能控制。电感负载时，只要 IGBT 中的反向电压达到 直流回路的电压时，(t3)，电流就会通过相关的续流二极管换流。