IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为新型电力半导体场控自关断器件,集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体,具有输进阻抗高,电压控制功耗低,控制电路简单,耐高压,承受电流大等特性,在各种电力变换中获得极广泛的应用。与此同时,各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠、低本钱技术,主要采用1um以下制作工艺,研制开发取得一些新进展。
• 低VCEsat
产品型号 参数说明 封装形式
FD401R17KF6C_B2 401A , 1700V , IGBT2 IHV 73 mm
FD600R16KF4 600A , 1700V , IGBT2 IHM 130 mm
FD600R17KE3_B2 600A , 1700V , IGBT3 IHM 130 mm
FD600R17KF6C_B2 600A , 1700V , IGBT2 IHM 130 mm
FD650R17IE4 650A , 1700V , IGBT4 PrimePACK 2
FD650R17IE4D_B2 650A , 1700V , IGBT4 PrimePACK 2
DF650R17IE4 650A , 1700V , IGBT4 PrimePACK 2
DF650R17IE4D_B2 650A , 1700V , IGBT4 PrimePACK 2
FD800R17KE3_B2 800A , 1700V , IGBT3 IHM 130 mm
FD800R17KF6C_B2 800A , 1700V , IGBT2 IHM 130 mm
FD800R17HP4-K_B2 800A , 1700V , IGBT4 IHMB 130 mm
FD1000R17IE4 1000A , 1700V , IGBT4 PrimePACK 3
FD1000R17IE4D_B2 1000A , 1700V , IGBT4 PrimePACK 3
DF1000R17IE4 1000A , 1700V , IGBT4 PrimePACK 3
DF1000R17IE4D_B2 1000A , 1700V , IGBT4 PrimePACK 3
FD1200R17KE3-K_B2 1200A , 1700V , IGBT3 IHM 130 mm
FD1200R17KE3-K 1200A , 1700V , IGBT3 IHM 130 mm
FD1200R17HP4-K_B2 1200A , 1700V , IGBT4 IHMB 130 mm
FD1600/1200R17KF6C_B2 1200 - 1600A , 1700V , IGBT2 IHM 190 mm
FD1600/1200R17HP4_B2 1200 - 1600 A , 1700V , IGBT4 IHMB 190 mm
如果IGBT栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT不能稳定正常地工作,如果过高超过栅极-发射极之间的耐压则IGBT可能**性损坏;同样,如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极-发射极之间的耐压,流过IGBT集电极-发射极的电流超过集电极-发射极允许的**电流,IGBT的结温超过其结温的允许值,IGBT都可能会**性损坏。