IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为新型电力半导体场控自关断器件,集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体,具有输进阻抗高,电压控制功耗低,控制电路简单,耐高压,承受电流大等特性,在各种电力变换中获得极广泛的应用。与此同时,各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠、低本钱技术,主要采用1um以下制作工艺,研制开发取得一些新进展。
工厂包装数量:
15
产品型号 参数说明 封装形式
FZ200R65KF2 200A , 6500V , IGBT2 IHV 73 mm
FZ250R65KE3 250A , 6500V , IGBT3 IHV 73 mm
FZ400R65KF2 400A , 6500V , IGBT2 IHV 130 mm
FZ400R65KE3 400A , 6500V , IGBT3 IHV 130 mm
FZ500R65KE3 500A , 6500V , IGBT3 IHV 130 mm
FZ600R65KE3 600A , 6500V , IGBT3 IHV 190 mm
FZ600R65KF2 600A , 6500V , IGBT2 IHV 190 mm
FZ750R65KE3 750A , 6500V , IGBT3 IHV 190 mm
在三电平NPC的拓扑中,每一个桥臂由四个带反并二极管的IGBT以串联的方式连接,另外再配上两个二极管DH和DL,将它们中间节点连接到直流母线的中性点。其中所采用的所有功率半导体都具备相同的击穿电压。根据输出电压和电流的特点,一个周期的基频输出有四个不同续流工作状态。
集成三电平中所有功率器件。右边的三个功率端子用来把直流母线分开,为三电平逆变器带来极低的寄生电感,与它相对的两个功率端子并联起来作为每一个桥臂的输出端子。在模块封装的两侧是控制引脚,PCB驱动板可以通过这些端子直接连接。这种封装的三电平模块中的桥臂的**高电流高达300A。