IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为新型电力半导体场控自关断器件，集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体，具有输进阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电力变换中获得极广泛的应用。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠、低本钱技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。

FF300R06KE3_B2 IGBT模块结构优势
   逆导型IGBT的正面结构与传统IGBT基本相同，不同之处在于其背面结构。在制造过程中逆导型IGBT要比传统IGBT多用一块到两块掩膜板，而且背面的版图设计与正面差别较大。一方面背面版图的图形尺寸很大，另一方面图形是非对称、非重复性的，而仿真不可能在对整个器件进行仿真，也就使得对逆导型IGBT一些参数的仿真是近似性的。然而背面版图设计的优劣直接决定了器件和整体性能，尤其是对于回跳现象的消除和二极管的特性的优化至关重要。这就使逆导型IGBT背面的版图布局成为一项关键技术。
英飞凌英飞凌FF200R12KS4 是英飞凌公司专门针对高频应用领域而开发发行的62mmC-Series模块，采用高频技术和碳化硅材料。其在医疗应用、电机传动、谐振逆变器应用、伺服驱动器、UPS系统作为高频开关使用。  

 英飞凌FF200R12KS4机械特性 
• 封装的CTI>400 
• 高爬电距离和电气间隙 
• 绝缘的基板 
• 铜基板
• 标封装