价格:未填
品牌:英飞凌
发货:3天内
信息标签:英飞凌IGBT模块FF450R07ME4_B11原装现货,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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英飞凌FF450R07ME4_B11是采用三项桥十六单元结构的逆导型低频IGBT模块,其性能高耐压,可大大降低导通压降。相比前代英飞凌IGBT模块FP40R12KE3G存储电荷的增强与耗散引发了开关损耗、延迟时间(存储时间)、以及在关断时还会引发集电极拖尾电流。FDFF450R07ME4_B11广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、UPS以及逆变焊机当中。
英飞凌FDFF450R07ME4_B11基本参数:IGBT模块,1200V/40A,PIM
产品种类: IGBT 模块
品牌和型号 英飞凌FP40R12KE3G
配置: Hex
集电极—发射极**电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.3 V
在25 C的连续集电极电流: 40 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
功率耗散: 200 W
**工作温度: + 125 C
封装 / 箱体: EconoPIM3-24
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
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工厂包装数量: 500
IGBT模块结构优势:
逆导型IGBT的正面结构与传统IGBT基本相同,不同之处在于其背面结构。在制造过程中逆导型IGBT要比传统IGBT多用一块到两块掩膜板,而且背面的版图设计与正面差别较大。一方面背面版图的图形尺寸很大,另一方面图形是非对称、非重复性的,而仿真不可能在对整个器件进行仿真,也就使得对逆导型IGBT一些参数的仿真是近似性的。然而背面版图设计的优劣直接决定了器件和整体性能,尤其是对于回跳现象的消除和二极管的特性的优化至关重要。这就使逆导型IGBT背面的版图布局成为一项关键技术。
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