价格:未填
品牌:富士
发货:3天内
信息标签:原装富士7MBR75VR120-50现货IGBT模块,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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 富士7MBR75VR120-50 是fuji第6代IGBT模块，使用**的驱动IC，实现了业界**高水准的低损耗、低发射干扰。新产品发挥低损耗特性，产品体积较之以往**多减少了80%，实现小型•薄型化封装。富士7MBR75VR120-50 IGBT模块自身低损耗•小型化等特性，使其在通用变频器、数控加工机械、工业机器人、中央空调、太阳能发电用电力变换器等电力电子设备的小型化、节能•高效化方面的表现十分抢眼。

富士7MBR75VR120-5产品特征：
（1）集成了**的第6代IGBT芯片及驱动IC，实现业界**高水准的低损耗（较富士电机以往产品减少20%）、低放射干扰；
（2）在业界首次集成了按不同原因输出不同异常报警信号的功能（4种信号）；
（3）体积与以往相比减小80%，产品更小、更薄。

富士7MBR75VR120-50 基本参数：
IGBT模块（ V系列）1200V / 75A / PIM
产品：富士IGBT模块（ V系列）
品牌/型号：富士FUJI 7MBR75VR120-50 IGBT模块（ V系列）1200V / 75A / PIM
集电极-发射极电压：Tc=25℃，1200V
栅极-发射极电压：+/-20V
总功率耗散：385V
集电极持续电流：Tc=80℃，50A
栅极-发射极漏电流:200nA
集电极 - 发射极饱和电压:25℃时，2.7V
零栅极电压集电极电流：1mA
包装：工厂原装
产品价格和资料：联系咨询和索取。

富士7MBR75VR120-50等效电路7MBR75VR120-50 IGBT模块工作原理
IGBT综合了GTR和MOSFET既具有大电流、低饱和压降,又具有高输入阻抗、驱动简单和开关频率高等优点,特别适合于中高频、中大功率应用。当单个主开关器件的容量不能满足功率要求时,通常用两种方法来提高功率等级:①直接选用更大功率等级的器件;②采用功率等级较小、市场货源充足、驱动功率低且线路简单的IGBT模块,通过串、并联来满足耐压、耐流等级的要求。由于单纯采用高功率等级IGBT模块将大大提高产品成本和驱动电路的复杂性,因此采用多管并联提高电流定额以满足工业要求。

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