三菱CM100TU-24F是一种结构非常紧凑的智能功率模块，采用压注模封装技术，便于大批量生产。内部比普通IGBT模块集成了IGBT硅片、IGBT驱动及保护电路。非常适用于交流100~200V级小容量电机的变频控制。
 

  三菱CM100TU-24F基本参数：沟槽栅设计六IGBTMOD⑩100A/ 1200V

标准包装： 10

类别： 分立式导体产品

品牌和型号 三菱CM100TU-24F

系列： IGBTMOD™ IGBT - 模块

IGBT 类型： 沟道

配置： 三相反相器

电压 - 集射极击穿（**值）： 1200V

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)： 2.4V @ 15V，100A

电流 - 集电极 (Ic)（**值）： 100A

电流 - 集电极截止（**值）： 1mA

不同 Vce 时的输入电容 (Cies)： 39nF @ 10V

功率 - **值： 500W

输入： 标准

NTC 热敏电阻： 无

安装类型： 底座安装

封装/外壳： 模块

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  CM100TU-24F IGBT模块的运用优势

   三菱第四代IGBT是在前代的基础上引入沟槽栅，这是当前国外半导体厂商普遍采用的结构组合，栅极采用了沟槽技术，工作电流从N漂移区(基区)直接流进垂直沟道而进入源区，于是，这种IGBT的通态压降消除了JFET区域串联电阻的影响，优化了器件表面的载流子分布，改善了器件的导通特性和电流密度。高耐压、大电流、高速度、低压降、高可靠性、低成本是IGBT器件的发展趋势。经过三十年的持续奋斗，不断探索与创新，现代IGBT的参数折衷达到了极高的水平，已可能成为近20年中**有普及价值的电力电子主力器件。目前尚无其它大功率高频器件可以代替IGBT。

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