电子元器件及组件
三菱IGBT模块CM400DU-24F原厂渠道**现货
发布时间:2016-06-20 14:02:21 产品编号:GY-5-86937555  分享
价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块CM400DU-24F原厂渠道正品现货,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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 三菱CM400DU-24F IGBT模块是作为大功率开关运用在通用变频器和伺服器控制系统中。CM400DU-24F属于三菱第四代IGBT F系列,该系列采用IGBTMOD™封装技术,每个模块由两个IGBT晶体管在一个半每个桥配置有一个晶体管反接连超**恢复续流二极管。所有组件和互连被隔离从散热基板,提供简化的系统装配和热管理。三菱CM400DU-24F是功率MOSFET和双极型晶体管组成的复合器件,比起MOSFET的优越性在于它可以节约硅片的面积及具有双极型晶体管的电流特性。

  三菱CM400DU-24F 基本参数双IGBTMOD 400A/ 1200V
标准包装: 10
类别: 分立式导体产品IGBT - 模块
产品品牌和型号 三菱CM400DU-24F
系列: IGBTMOD™
配置: 半桥
电压 - 集射极击穿(**值): 1200V
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on): 2.4V @ 15V,400A
电流 - 集电极 (Ic)(**值): 400A
电流 - 集电极截止(**值): 2mA
不同 Vce 时的输入电容 (Cies): 160nF @ 10V
功率 - **值: 1100W
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
产品价格和中日文资料 联系咨询和索取

主要用途:通用变频器和伺服控制等UPS电源,数控机床,交流传动控制,伺服,焊工.通用变频器和伺服控制等.高频开关使用(30kHz到60kHz的)。梯度放大器,感应加热,电源等
代表反并联的发射极 - 集电极续流二极管(FWDI)的额定值和特点。情况下的温度(TC)和散热片的温度(Ts)的基板和散热片的每个表面上定义的刚下芯片。 (芯片的位置,请参阅图)散热器的热阻{RTH(S - A)}刚下芯片测量。脉冲宽度和重复率应该是这样的器件结温(T J)剂量不超过T JMAX评级。结温(T J)不应该增加超出Tj**评级。脉冲宽度和重复率应该是这样的,容易引起温度升高可以忽略不计。 (请参考测试电路的身影)典型值是衡量使用导热油脂λ=0.9 W /(M·K)。操作温度受制于女性连接器外壳的许可温度。
CM150TU-12F MP 600 150 2500 520 1.6 2.0 T - F series
CM150TU-12H NRND 600 150 2500 600 2.4 2.0 T - U series
CM150TX-24S MP 1200 150 2500 1150 1.7 1.7 T 6th Gen. S series NX type
CM200DU-12F MP 600 200 2500 590 1.6 2.0 D - F series
CM200DU-12H NRND 600 200 2500 650 2.4 2.0 D - U series
CM200DU-12NFH MP 600 200 2500 590 2.0 2.0 D - NFH series (DUS)
CM200DU-24F MP 1200 200 2500 830 1.8 2.3 D - F series
CM200DU-24H NRND 1200 200 2500 1130 2.9 2.5 D - U series
CM200DU-24NFH MP 1200 200 2500 830 5.0 2.8 D - NFH series (DUS)
CM200DU-34KA NRND 1700 200 3500 1100 3.2 3.3 D - KA series
CM200DX-24A MP 1200 200 2500 1250 2.0 2.6 D 5th Gen. NX series
CM200DX-24S MP 1200 200 2500 1500 1.7 1.7 D 6th Gen. S series NX type
CM200DX-34SA NEW 1700 200 4000 2000 1.9 4.0 D 6th Gen. S series NX type
CM200DY-12NF MP 600 200 2500 650 1.7 2.0 D - NF series
CM200DY-24A MP 1200 200 2500 1340 2.1 3.0 D - A series
 
  CM400DU-24F 大功率开关的发展趋势
  正常IGBT的工作频率在10—20kHz,其开关速度比GTO、IGCT快得多。在交流电动机变频调速中,它是较好的选择。它在中小容量装置中淘汰功率双极晶体管(GTR)已成定论。IEGT在高电压领域中保持**开关特性。在20世纪末,采用特殊结构和特殊少子寿命控制(如质子注入加特殊退火工艺规范)的IGBT,在600—1200V电压水平下,使工作频率达到150kHz(硬开关)和300kHz(软开关),被称为霹雳型IGBT。它们将在开关电源中与功率MOSFET竞争,以其导通压降小,电流密度大,电压等级高,成本低等优点占有优势。今后十年的开关电源,也许这种IGBT的市场份额将会扩大。

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