价格:未填
品牌:赛米控
发货:3天内
信息标签:赛米控SKM100GB128D原厂渠道IGBT模块现货,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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赛米控SKM100GB128D采用了软穿通技术,与前代相比大大的减少了整体元件的损耗,使IGBT和二极管达到很好的静态和动态特性。 赛米控SKM100GB128D增加了一个深的、低掺杂的SPT缓冲层,使元件与NPT结构设计相比,总厚度减薄了20%。SPT缓冲层能确保像这样的元件维持软关断的特性。大功率、高电压电路不可避免的有很大的寄生电感,它将在元件关断的时候引起电压尖峰和大的振荡,并诱发电磁干扰(EMI)。
赛米控SKM100GB128D除了这些明显的优点外,还表明SPT技术可以使IGBT和二极管的SOA均有大的增加。HV-IGBT的设计平台利用一个**的、极为可靠的平面单元设计,防止了闩锁效应,使SOA增加。SPT IGBT的输入电容设计可以提供对开通di/dt很好的控制,di/dt是门极电阻的函数,在门极-发射极端不需要额外的电容。这一点使IGBT的通态电压延迟更短,其开通损耗大大的降低。
赛米控SKM100GB128D基本参数:SPT IGBT模块,100A/1200V
电 压(V): 1200
电 压(A): 100
净 重: 0.16 kg
原 产 地: 斯洛伐克
安装类型:螺丝
宽度:34mm
封装类型:GB
尺寸:94 x 34 x 30.1mm
引脚数目:7
**工作温度:-40 °C
**栅极发射极电压:±20V
**连续集电极电流:100 A
**集电极-发射极电压:1200 V
**高工作温度:+175 °C
通道类型:N
配置:双
长度:94mm
高度:30.1mm
赛米控SKM100GB128D STP IGBT模块的结构优势
IGBT芯片与高压**和软恢复SPT二极管一起使用,共同构成有很大优势的SPT-IGBTs。高压二极管有一个高掺杂的P+阳极,与低浓度P型阳极二极管相比, SOA特性更好,更加耐用。这是因为二极管在反向恢复期间,在极端的动态雪崩条件下减少了穿通效应。高掺杂的P+二极管反向恢复时减少了阳极周边的强电场和电流密度,使pn结更耐用。为了控制恢复过程和达到高的SOA,通过局部与整体的载流子寿命控制相结合的方法,适当的分布了电子-空穴等离子浓度。**终,在大的电流模块中,并联芯片的均流很好,在通态电压下降时保证了IGBT和二极管的正的温度系数。
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