价格:未填
品牌: 赛米控
发货:3天内
信息标签:赛米控IGBT模块SKM400GB126D原厂渠道现货,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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赛米控SKM400GB126D沟道型IGBT模块可降低传导和开关损耗,并为低短路要求的20kHZ开关作出优化,提高UPS和太阳能转换器应用的功率转换效率。赛米控SKM400GB126D沟道型IGBT模块与超**软恢复二极管封装在一起。与穿透型(PT)和非穿透型(NPT)IGBT相比较,新IGBT系列拥有较低的集电极到发射极饱和电压(VCE(on))及总开关能量(ETS)。此外,内置超**软恢复二极管也能提高效率且降低EMI。
赛米控SKM400GB126D基本参数:沟道IGBT模块,400A/1200V。SK50GH128T、SK100GH128T、SKIIP1013GB122-2DL、SKIIP1203GB122-2DW、SKIIP1513GB122-3DL、SKIIP1803GB122-3DW、SKIIP2013GB122-4DL、SKIIP2403GB122-4DW、SKIIP313GD122-3DUL、SKIIP513GD122-3DUL
直流母线电压: 450V
DC总电压:500V
集电极-发射极电压:600V
总功率耗散:198W
集电极输入电流:1mA
集电极-发射极饱和电压:2.8V
赛米控SKM400GB126D IGBT模块的工作原理
如等效电路图所示给栅极一发射极间加阈值电压u。以上的(正)电压,在栅极电极正下方的P层上形成反型层(沟道),从而开始从发射极电极F的N一层注人电子。浚电子为PNP晶体管的少数载流子,它从集电极衬底P+层开始流人空穴,进行电导率调制(双极工作),可以降低集电极一发射极问的饱和电压。在其发射极电极侧形成有NPN寄生晶体管。若NPN寄生晶体管工作,它又变成P+,N一,P一,N+晶闸管。电流继续流动,直到输出侧停止供给电流,此时通过糯出信号已不能进行控制。一般称这种状态为闭锁状态。
选择和使用
① 请在产品的**额定值(电压、电流、温度等)范围内使用,一旦超出**额定值,可能损坏产品,特别是IGBT外加超出VCES的电压时可能发生雪崩击穿现象从而使元件损坏,请务必在VCES的额定值范围内使用!工作使用频率愈高,工作电流愈小;源于可靠性的原因,必须考虑安全系数。如果使用前需要测试请务必使用适当的测试设备,以免测试损坏(特别是IGBT和FRED模块需要专业的测试设备,请勿使用非专业的设备测试其电压的**值)。
② 驱动电路:由于IGBT Vce(sat) 和短路耐量之间的折衷关系,建议将栅极电压选为 +VG=14~15V,-VG=5~10V,要确保在模块的驱动端子上的驱动电压和波形达到驱动要求; 栅极电阻Rg与IGBT 的开通和关断特性密切相关,减小Rg值开关损耗减少,下降时间减少,关断脉冲电压增加;反之,栅极电阻Rg值增加时,会增加开关损耗,影响开关频率;应根据浪涌电压和开关损耗间**折衷(与频率有关)选择合适的Rg 值,一般选为5Ω至100Ω之间。为防止栅极开路,建议靠近栅极与发射极间并联20K~30KΩ电阻。驱动布线要尽量短且采用双绞线;在电源合闸时请先投入驱动控制部分的电源,使其驱动电路工作后再投入主电路电源。
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