赛米控SKM300GB12T4基本参数：1200V/300A，赛米控第四代沟槽型IGBT模块

  沟槽结构的对赛米控SKM300GB12T4 IGBT性能的提升

  IGBT的正面MOS结构包括栅极与发射极区。栅极结构有平面栅与沟槽栅两种。平面栅结构具有较好的栅氧化层质量，其栅电容较小，并且不会在栅极下方处造成电场集中而影响耐压，在高压IGBT(3300V及以上电压等级)中被普遍采用。平面栅结构经过优化改进，可以进一步降低栅电容同时改进其他的工作特性，如降低栅存储时间，降低开关损耗，还能减小短路安全工作区(SCSOA)测试中的栅电压过冲。而沟槽栅结构将沟道从横向变为纵向，消除了导通电阻中RJFET的影响，还可以提高元胞密度，从而有利于降低功耗[17]，因此被广泛应用于中低压(1700V及以下电压等级)产品中，但是沟槽刻蚀后表面粗糙，会影响载流子迁移率及造成电场集中，影响击穿电压，而且多晶硅栅面积增加，使栅电容增大，此外，由于电流密度增大导致其短路能力降低。为了减小栅电容并降低短路电流，需要对元胞结构进行优化设计，如图5所示。三菱公司则提出了一种“元胞合并式” IGBT结构(plugged/dummy cells)以降低饱和电流，提高短路能力，并抑制短路测试过程中的栅电压振荡现象。为了满足不同的封装需要，IGBT的栅极电极可以位于芯片中心、边上中央及边角处，对于焊接式封装，这三种位置都可满足要求，对于压接式封装，一般选择将栅电极设置在边角处。